Owners Manual

• 先填充具有白色释放卡舌的所有插槽，再填充黑色的。

• 按以下顺序按最高列数填充插槽 - 首先填充具有白色释放拉杆的插槽，再填充具有黑色释放拉杆的插槽。

例如，如果要混用四列和双列 DIMM，则填充具有白色释放卡舌的插槽中的四列 DIMM，再填充具有黑色

释放卡舌的插槽中的双列 DIMM。

• 在双处理器配置中，每个处理器的内存配置必须相同。例如，如果填充处理器 1 的插槽 A1，则填充处理器

2 的插槽 B1，以此类推。

• 如果遵循其它内存安装规则，则不同大小的内存模块可以混用（例如，2 GB 和 4 GB 内存模块可以混

用

）。

• 根据模式特定原则，每个处理器一次填充两个或三个 DIMM（每个通道一个 DIMM）以最大化性能。有关

详情，请参阅模式特定原则。

• 如果安装不同速度的内存模块，它们将以最低或较低安装内存模块速度运行（具体取决于系统 DIMM 配

置）。

模式特定原则

每个处理器均分配有三个内存通道。所选的内存模式将决定允许的配置。

注: 如果支持 RAS 功能（可靠性、可用性和可维修性），基于 x4 和 x8 DRAM 的 DIMM 可以混用。但

是，必须遵循特定 RAS 功能的所有原则。基于 X4 DRAM 的 DIMM 在内存优化（独立通道）或高级

ECC 模式下保留单设备数据校正 (SDDC)。基于 X8 DRAM 的 DIMM 需要高级 ECC 模式以获得 SDDC。

下面各节提供每个模式的其它插槽填充原则。

高级 ECC (Lockstep)

高级 ECC 模式将 SDDC 从基于 x4 DRAM 的 DIMM 扩展到 x4 和 x8 DRAM。这样可防止正常操作期间单个

DRAM 芯片故障。

内存安装原则：

• 内存插槽 A1、A4、B1 和 B4 已禁用，不支持高级 ECC 模式。

• DIMM 必须成对匹配安装 — 内存插槽（A2、B2）中安装的 DIMM 必须与内存插槽（A3、B3）中安装的

DIMM 匹配，而内存插槽（A5、B5）中安装的 DIMM 必须与内存插槽（A6、B6）中安装的 DIMM 匹配。

注: 不支持带镜像功能的高级 ECC。

内存优化（独立信道）模式

此模式仅针对使用 x4 设备宽度的内存模块支持 SDDC，不会产生任何特定插槽填充要求。

内存备用

注: 要使用内存备用，必须在系统设置程序中启用此功能。

在此模式下，每个通道的一列保留作为备用列。如果在列上检测到持久可纠正错误，将复制此列中的数据到备

用列，并禁用出现故障的列。

如果启用内存备用，对操作系统可用的系统内存将每个通道减少一列。例如，在具有 3 个 8 GB 双列 DIMM

的系统中，可用系统内存为：1/2（列/通道）× 3 (DIMM) × 8 GB = 12 GB，而不是 3 (DIMM) × 8 GB = 24

。