Owners Manual

• 채널당 최대 2개의 4중 랭크 RDIMM을 장착할 수 있습니다.
• 채널당 최대 2개의 단일 또는 이중 랭크 RDIMM을 장착할 수 있습니다.
• 채널당 4중 랭크 RDIMM 1개 및 단일 또는 이중 랭크 RDIMM 1개를 장착할 수 있습니다.
• 프로세서가 설치된 경우에만 DIMM 소켓을 채우십시오. 단일 프로세서 시스템의 경우 A1-A6 소켓을 사용
할
수 있습니다. 이중 프로세서 시스템의 경우에는 A1-A6 소켓 및 B1-B6 소켓을 사용할 수 있습니다.
• 흰색 분리 탭이 있는 모든 소켓을 먼저 채우고 검정색 분리 탭이 있는 소켓을 채웁니다.
• 랭크 개수를 기준으로 가장 높은 DIMM부터 흰색 분리 레버가 있는 소켓에 먼저 장착하고 검정잭 분리 레
버가
있는 소켓에 순서대로 장착합니다. 예를 들어, 4중 랭크 DIMM과 이중 랭크 DIMM을 혼합하려면 흰색
분리 탭이 있는 소켓에 4중 랭크 DIMM을 장착하고 검정색 분리 탭이 있는 소켓에 이중 랭크 DIMM을 장착
합니다.
• 이중 프로세서 구성에서 각 프로세서에 대한 메모리 구성은 동일해야 합니다. 예를 들어, 프로세서 1의 소
켓 A1을 채우는 경우, 프로세서 2의 소켓 B1을 채웁니다.
• 다른 메모리 장착 규칙을 따르는 경우라면 크기가 서로 다른 메모리 모듈을 혼합할 수 있습니다(예: 2GB 메
모리
모듈과 4GB 메모리 모듈이 혼합될 수 있음).
• 성능을 최대화하려면 모드별 지침에 따라 프로세서당 2개 또는 3개의 DIMM(채널당 DIMM 1개)을 한 번에
장착합니다. 자세한 내용은 모드별 지침을 참조하십시오.
• 각각 다른 속도를 가진 메모리 모듈이 설치되면 설치된 메모리 모듈 중 가장 느린 모듈의 속도로 작동하거
나 시스템 DIMM 구성에 따라 더 느린 속도로 작동하게 됩니다.
모드별 지침
3개의 메모리 채널이 각 프로세서에 할당됩니다. 허용되는 구성은 선택한 메모리 모드에 따라 다릅니다.
노트: x4 및 x8 DRAM 기반 DIMM은 혼합되어 RAS(Reliability, Availability, and Serviceability) 기능에 대
한 지원을 제공할 수 있습니다. 그러나 특정 RAS 기능에 대한 모든 지침이 준수되어야 합니다. x4 DRAM
기반 DIMM은 메모리 최적화(독립 채널) 모드 또는 고급 ECC 모드에서 SDDC(Single Device Data
Correction)를 유지합니다. x8 DRAM 기반 DIMM의 경우 SDDC가 지원되도록 하려면 고급 ECC 모드가
필요합니다.
다음 항목에서는 각 모드별로 추가적인 슬롯 채우기 지침을 제공합니다.
고급 ECC(록스텝)
고급 ECC 모드는 SDDC를 x4 DRAM 기반 DIMM에서 x4 및 x8 DRAM으로 확장합니다. 이 모드는 정상 작동
중에 발생하는 단일 DRAM 칩 오류로부터 보호합니다.
메모리 설치 지침:
• 메모리 소켓 A1, A4, B1 및 B4는 비활성화되고 고급 ECC 모드를 지원하지 않습니다.
• DIMM은 일치하는 쌍으로 설치되어야 합니다. 메모리 소켓 (A2, B2)에 설치되는 DIMM은 메모리 소켓 (A3,
B3)에 설치되는 DIMM과 일치해야 하고, 메모리 소켓 (A5, B5)에 설치되는 DIMM은 메모리 소켓 (A6, B6)에
설치되는 DIMM과 일치해야 합니다.
노트: 모니터링을 포함하는 고급 ECC는 지원되지 않습니다.
메모리 최적화(독립형 채널) 모드
이 모드는 x4 장치 폭을 사용하는 메모리 모듈에 대해서만 SDDC를 지원하고, 특정한 방식의 슬롯 채우기를 요
구하지 않습니다.
메모리 스페어링
노트: 메모리 스페어링을 사용하려면 시스템 설정에서 이 기능이 활성화되어야 합니다.
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