Owners Manual
채널 1: 메모리 소켓 B2, B6 및 B10
채널 2: 메모리 소켓 B3, B7 및 B11
채널 3: 메모리 소켓 B4, B8 및 B12
일반 메모리 모듈 설치 지침
이 시스템은 유연한 메모리 구성을 지원하므로, 시스템은 모든 유효한 칩셋 아키텍처에 따라 구성되고 해당 구성에서 실행될 수 있습
니다. 다음은 최적 성능을 위해 권장되는 지침입니다.
● LRDIMM과 RDIMM을 혼합해서는 안 됩니다.
● x4 및 x8 DRAM 기반 DIMM은 혼합될 수 있습니다. 자세한 내용은 모드별 지침 섹션을 참조하십시오.
● 한 채널에 최대 3개의 싱글 랭크 또는 듀얼 랭크 RDIMM을 채울 수 있습니다.
● 프로세서가 설치된 경우에만 DIMM 소켓을 장착합니다. 단일 프로세서 시스템의 경우 A1-A12 소켓을 사용할 수 있습니다. 이중 프
로세서 시스템의 경우에는 A1-A12 소켓 및 B1-B12 소켓을 사용할 수 있습니다.
● 흰색 분리 탭이 있는 소켓부터 시작하여 검정색 분리 탭이 있는 소켓과 녹색 분리 탭이 있는 소켓을 순서대로 모두 채웁니다.
● 용량을 기준으로 가장 높은 DIMM부터 흰색 분리 레버가 있는 소켓에 먼저 장착하고 검정색 분리 레버가 있는 소켓에 순서대로 장
착합니다. 예를 들어, 16GB와 8GB DIMM을 혼합하려면 흰색 분리 탭이 있는 소켓에 16GB DIMM을 장착하고 검정색 분리 탭이 있
는 소켓에 8GB DIMM을 장착합니다.
● 이중 프로세서 구성에서 각 프로세서에 대한 메모리 구성은 동일해야 합니다. 예를 들어, 프로세서 1에 대해 소켓 A1을 장착하는
경우 프로세서 2에 대해 소켓 B1을 장착합니다.
● 다른 메모리 장착 규칙을 따르는 경우라면 크기가 서로 다른 메모리 모듈을 섞어 쓸 수 있습니다.(예: 4GB 메모리 모듈과 8GB 메
모리 모듈을 섞어 쓸 수 있음).
● 성능을 최대화하려면 모드별 지침에 따라 프로세서당 4개의 DIMM(채널당 1개 DIMM)을 한 번에 장착합니다. 자세한 내용은 모드
별 지침 섹션을 참조하십시오.
표 23. 방열판 - 프로세서 구성
프로세서 구성 프로세서 유형(와트) 방열판
폭
DIMM 개수
최대 시스템 용량 RAS(Reliability, Availability and
Serviceability) 기능
단일 프로세서 105W, 120W 또는 135W 68mm 12 12
단일 프로세서 135W(4코어, 6코어 또는 8코
어), 145W 또는105W(음향 구
성)
86mm 10(채널 0과 채널 2의 DIMM 3
개 및 채널 1과 채널 3의 DIMM
2개)
8(채널당 DIMM 2개)
노트: 단일 프로세서에 86mm 너비의 방열판을 사용하는 경우 메모리 모듈 소켓 A10 및 A12를 장착할 수 없습니다.
이중 프로세서 105W, 120W 또는 135W 68mm 24 24
이중 프로세서 135W(4코어, 6코어 또는 8코
어), 145W 또는105W(음향 구
성)
86mm 20(채널 0과 채널 2의 DIMM 3
개 및 채널 1과 채널 3의 DIMM
2개)
16(채널당 DIMM 2개)
관련 참조
모드별 지침 페이지 61
모드별 지침
4개의 메모리 채널이 각 프로세서에 할당됩니다. 허용되는 구성은 선택한 메모리 모드에 따라 다릅니다.
고급 오류 수정 코드
고급 오류 수정 코드(ECC) 모드는 SDDC를 x4 DRAM 기반 DIMM에서 x4 및 x8 DRAM으로 확장합니다. 이 모드는 정상 작동 중에 발생
하는 단일 DRAM 칩 오류로부터 보호합니다.
메모리 모듈 설치 지침은 다음과 같습니다.
서버 모듈 구성 요소 설치 및 제거 61