Owners Manual

표 36. 메모리 장착
DIMM 유형 장착되는
DIMM/채널
전압
작동 주파수(MT/s) 최대 DIMM 랭크/채널
RDIMM 1
1.2V
2400, 2133, 1866
듀얼 랭크 또는 싱글 랭크
2 2400, 2133, 1866
듀얼 랭크 또는 싱글 랭크
3 1866
듀얼 랭크 또는 싱글 랭크
LRDIMM 1
1.2V
2400, 2133, 1866
4중 랭크
2 2400, 2133, 1866
4중 랭크
3 2133, 1866
4중 랭크
일반 메모리 모듈 설치 지침
노트: 이 지침을 준수하지 않고 메모리를 구성하면 해당 시스템이 부팅되지 않거나, 메모리를 구성하는
동안 시스템이 중단되거나, 메모리가 줄어든 상태로 시스템이 작동될 수 있습니다.
이 시스템은 유연한 메모리 구성을 지원하므로, 시스템은 모든 유효한 칩셋 아키텍처에 따라 구성되고 해당 구
성에서 실행될 수 있습니다. 다음은 메모리 모듈 설치에 권장되는 지침입니다.
• RDIMM과 LRDIMM을 혼합하여 사용할 수 없습니다.
• x4 및 x8 DRAM 기반 메모리 모듈을 혼합해서 사용할 수 없습니다. 자세한 내용은 모드별 지침 섹션을 참
조하십시오.
• 채널당 최대 3개의 듀얼 또는 싱글 랭크 RDIMM을 장착할 수 있습니다.
• 랭크 개수에 관계없이 채널당 최대 3개의 LRDIMM을 장착할 수 있습니다.
• 각각 다른 속도를 가진 메모리 모듈이 설치되면 설치된 메모리 모듈 중 가장 느린 모듈의 속도로 작동하거
나 시스템 DIMM 구성에 따라 더 느린 속도로 작동하게 됩니다.
• 프로세서가 설치된 경우에만 메모리 모듈 소켓을 채우십시오. 단일 프로세서 시스템의 경우 A1-A12 소켓
을 사용할 수 있습니다. 듀얼 프로세서 시스템의 경우에는 A1-A12 소켓 및 B1-B12 소켓을 사용할 수 있습
니다.
• 흰색 분리 탭이 있는 모든 소켓을 먼저 채운 후에 검정색 분리 탭, 녹색 분리 탭 소켓을 차례로 채웁니다.
• 다른 용량의 메모리 모듈을 함께 사용할 때는 용량이 가장 큰 메모리 모듈 소켓을 먼저 장착합니다. 예를 들
어, 4GB 메모리 모듈과 8GB 메모리 모듈을 혼합하려면 흰색 분리 탭이 있는 소켓에 8GB 메모리 모듈을 설
치하고
검정색 분리 탭이 있는 소켓에 4GB 메모리 모듈을 장착합니다.
• 듀얼 프로세서 구성에서 각 프로세서에 대한 메모리 구성은 동일해야 합니다. 예를 들어, 프로세서 1에 대
해 소켓 A1을 장착하는 경우 프로세서 2에 대해 소켓 B1을 장착합니다.
• 다른 메모리 장착 규칙을 따르는 경우라면 크기가 서로 다른 메모리 모듈을 섞어 쓸 수 있습니다.(예: 4GB
메모리 모듈과 8GB 메모리 모듈을 섞어 쓸 수 있음)
• 시스템에 세 개 이상의 DIMM 혼합은 지원되지 않습니다.
• 성능을 극대화하려면 프로세서당 4개의 메모리 모듈(채널당 1개의 DIMM)을 동시에 장착합니다.
모드별 지침
4개의 메모리 채널이 각 프로세서에 할당됩니다. 허용되는 구성은 선택한 메모리 모드에 따라 다릅니다.
고급 오류 수정 코드(록스텝)
고급 오류 수정 코드(ECC) 모드는 SDDC를 x4 DRAM 기반 DIMM에서 x4 및 x8 DRAM으로 확장합니다. 이 모
드는 정상 작동 중에 발생하는 단일 DRAM 칩 오류로부터 보호합니다.
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