Owners Manual

그림 53 . 메모리 소켓 위치
메모리 채널은 다음과 같이 구성됩니다.
표 30. 메모리 채널
프로세서 채널 0 채널 1 채널 2 채널 3
프로세서 1 슬롯 A1 및 A5 슬롯 A2 및 A6 슬롯 A3 및 A7 슬롯 A4 및 A8
프로세서 2 슬롯 B1 슬롯 B2 슬롯 B3 슬롯 B4
다음 표는 지원되는 구성의 메모리 장착 및 작동 주파수를 보여 줍니다.
표 31. 메모리 개체군 및 작동 주파수
DIMM 유형
장착되는 DIMM/채
널
전압 작동 주파수(MT/s) 최대 DIMM 랭크/채널
RDIMM
1
1.2V 2400, 2133, 1866 단일 랭크 또는 이중 랭크
2
일반 메모리 모듈 설치 지침
이 시스템은 유연한 메모리 구성을 지원하므로, 시스템은 모든 유효한 칩셋 아키텍처에 따라 구성되고 해당 구성에서 실행될 수 있습
니다. 다음은 최적 성능을 위해 권장되는 지침입니다.
● LRDIMM과 RDIMM을 혼합해서는 안 됩니다.
● x4 및 x8 DRAM 기반 DIMM은 혼합될 수 있습니다. 자세한 내용은 모드별 지침 섹션을 참조하십시오.
● 채널에 최대 3개의 단일 또는 이중 랭크 RDIMM을 장착할 수 있습니다.
● 속도가 각기 다른 메모리 모듈이 설치되어 있는 경우 설치된 메모리 모듈 중 가장 느린 모듈의 속도로 작동하거나 시스템 DIMM
구성에 따라 더 느린 속도로 작동합니다.
● 프로세서가 설치된 경우에만 DIMM 소켓을 장착합니다. 싱글 프로세서 시스템의 경우 A1~A8 소켓을 사용할 수 있습니다. 듀얼 프
로세서 시스템의 경우 A1~A8 소켓 및 B1~B4 소켓을 사용할 수 있습니다.
● 흰색 분리 탭이 있는 모든 소켓을 먼저 채우고 검정색 분리 탭이 있는 소켓을 채웁니다.
108 시스템 구성 요소 설치 및 분리