Owners Manual

채널 1: 메모리 소켓 D2, D6 및 D10
채널 2: 메모리 소켓 D3, D7 및 D11
채널 3: 메모리 소켓 D4, D8 및 D12
다음 표는 지원되는 구성의 메모리 장착 및 작동 주파수를 보여 줍니다.
표 20. 지원되는 구성
DIMM 유형 장착되는 DIMM/채널 전압 작동 주파수(MT/s) 최대 DIMM 랭크/채널
RDIMM 1
1.2V
2400, 2133, 1866 단일 및 이중 등급
2 2400, 2133, 1866 단일 및 이중 등급
3 1866 단일 및 이중 등급
LRDIMM 1
1.2V
2400, 2133, 1866 4중 랭크
2 2400, 2133, 1866
4중 랭크
3 2133
4중 랭크
일반 메모리 모듈 설치 지침
이 시스템은 유연한 메모리 구성을 지원하므로, 시스템은 모든 유효한 칩셋 아키텍처에 따라 구성되고 해당 구성에서 실행될 수 있습
니다. 다음은 최적 성능을 위해 권장되는 지침입니다.
● LRDIMM과 RDIMM을 혼합해서는 안 됩니다.
● x4 및 x8 DRAM 기반 DIMM은 혼합될 수 있습니다. 자세한 내용은 모드별 지침 섹션을 참조하십시오.
● 한 채널에 최대 3개의 싱글 랭크 또는 듀얼 랭크 RDIMM을 채울 수 있습니다.
● 랭크 개수에 관계없이 최대 3개의 LRDIMM을 장착할 수 있습니다.
● 성능을 극대화하려면 프로세서당 4개의 DIMM(채널당 1개의 DIMM)을 동시에 장착합니다.
● 속도가 각기 다른 메모리 모듈이 설치되어 있는 경우 설치된 메모리 모듈 중 가장 느린 모듈의 속도로 작동하거나 시스템 DIMM
구성에 따라 더 느린 속도로 작동합니다.
● 다음과 같은 프로세서 방열판 구성에 따라 DIMM을 장착합니다.
● 프로세서가 설치된 경우에만 DIMM 소켓을 장착합니다. 단일 프로세서 시스템의 경우 A1-A12 소켓을 사용할 수 있습니다. 이중 프
로세서 시스템의 경우에는 A1-A12 소켓 및 B1-B12 소켓을 사용할 수 있습니다.
● 흰색 분리 탭이 있는 소켓부터 시작하여 검정색 분리 탭이 있는 소켓과 녹색 분리 탭이 있는 소켓을 순서대로 모두 채웁니다.
● 용량을 기준으로 가장 높은 DIMM부터 흰색 분리 레버가 있는 소켓에 먼저 장착하고 검정색 분리 레버가 있는 소켓에 순서대로 장
착합니다. 예를 들어, 16GB와 8GB DIMM을 혼합하려면 흰색 분리 탭이 있는 소켓에 16GB DIMM을 장착하고 검정색 분리 탭이 있
는 소켓에 8GB DIMM을 장착합니다.
● 이중 프로세서 구성에서 각 프로세서에 대한 메모리 구성은 동일해야 합니다. 예를 들어, 프로세서 1에 대해 소켓 A1을 장착하는
경우 프로세서 2에 대해 소켓 B1을 장착합니다.
● 다른 메모리 장착 규칙을 따르는 경우라면 크기가 서로 다른 메모리 모듈을 섞어 쓸 수 있습니다.(예: 4GB 메모리 모듈과 8GB 메
모리 모듈을 섞어 쓸 수 있음).
● 성능을 최대화하려면 모드별 지침에 따라 프로세서당 4개의 DIMM(채널당 1개 DIMM)을 한 번에 장착합니다. 자세한 내용은 모드
별 지침 섹션을 참조하십시오.
표 21. 방열판 - 프로세서 구성
프로세서 구성 프로세서 유형(와트) 방열판
폭
DIMM 개수
최대 시스템 용량 RAS(Reliability, Availability and
Serviceability) 기능
이중 프로세서 최대 135W 74mm 24 24
쿼드 프로세서 최대 105W 74mm 48 48
120W 또는 135W 94mm 40(채널 0과 채널 2의 DIMM 3
개 및 채널 1과 채널 3의 DIMM
2개)
32(채널당 DIMM 2개)
관련 태스크
모드별 지침 페이지 66
서버 모듈 구성부품 설치 65