Datasheet

3EZ1 ... 3EZ200
3EZ1 ... 3EZ200
Zener Diodes (non-planar technology)
Flächendiffundierte Zener-Dioden
P
tot
= 3 W
V
Z
= 1 V ... 200 V
T
jmax
= 150°C
Version 2016-11-23
DO-15 / DO-204AC
Dimensions - Maße [mm]
Type: Zxx where xx = V
Z
Typ: Zxx mit xx = V
Z
Typical Applications
Voltage stabilization and regulators
(For overvoltage protection
– uni- and bi-directional – see
TVS diodes BZW06/P6KE series)
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
Spannungsstabilisierung und -regler
(Für Überspannungsschutz
– uni-und bidirektional – siehe
TVS-Diodenreihe BZW06/P6KE)
Standardausführung
1
)
Features
High power dissipation
V
Z
up to 200 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Hohe Leistungsfähigkeit
V
Z
bis zu 200 V
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped in ammo pack 4000 Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx. 0.4 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Power dissipation – Verlustleistung T
A
= 50°C P
tot
3 W
3
)
Non repetitive peak power dissipation, t < 1 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 1 ms
T
A
= 25°C P
ZSM
60 W
3
)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
--50...+150°C
-50...+175°C
Characteristics Kennwerte
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
R
thA
<38 K/W
3
)
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht
R
thT
<15 K/W
45
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperatere at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
4 Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
5 The 3EZ1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole.
Die 3EZ1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index
“F” anstatt “Z” zu setzten. Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø 0.8
±0.05
Ø 3
±0.05
62.5
+0.5
6.3
±0.1
-4.5
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S