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LDI1117xxH
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10 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
C]
T
C
150100
50
0
P
tot
Power dissipa tion versus case tempe rature )
1
Verlustleistg. in Abh. von der Gehäusetemp. )
1
Refe rence Voltage vs. Junction temp. (Typ.)
Refe renzspa nnung vs. Spe rrschichtte mp. (Typ.)
1.27
1.26
1.25
1.24
1.23
1.22
V
REF
[V]
[°C]
100
0-50
125
0 25 50 75
T
J
Output Voltage vs. Junction temp. (Typ.)
Ausgangsspa nnung vs. Sperrschichttemp. (Typ.)
3.35
3.30
3.25
3.20
3.15
3.10
V
OUT
[V]
[°C]
100
0-50
125
0 25 50 75
T
J
LDI1117-3.3
Dropout Voltage vs. O utput Current (Typical)
Spa nnungsabfall vs. Ausga ngsspannung (Typ.)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
V
D
[V]
[A]
I
OUT
1.00.6
0.40.2
T = 0°C
J
T = 25°C
J
T = 125°C
J
Min. Load Current vs. Junction temp. (Typ.)
Min. Las tstrom vs. Sperrschichttemp. (Typ.)
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
I
L min
[mA]
[°C]
100
0-50
125
0 25 50 75
T
J