Datasheet

2PD2150_2 © NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 2 January 2007 6 of 13
NXP Semiconductors
2PD2150
20 V, 3 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
V
CE
=2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
T
amb
=25°C
Fig 4. Collector current as a function of base-emitter
voltage; typical values
Fig 5. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
T
amb
=25°CV
CE
=2V
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 6. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
Fig 7. DC current gain as a function of collector
current; typical values
006aaa956
10
10
2
10
3
10
4
I
C
(mA)
1
V
BE
(V)
0 1.41.21.00.40.2 0.80.6
(1) (2) (3)
V
CE
(V)
0 1.00.80.4 0.60.2
006aaa957
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = 20
2
4
6
8
18
16
14
12
10
V
CE
(V)
054231
006aaa958
2
3
1
4
5
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = 5
10
15
20
25
50
45
40
35
30
006aaa959
10
2
10
10
3
h
FE
1
I
C
(mA)
110
4
10
3
10 10
2
(1) (2)
(3)