Datasheet

2PD2150_2 © NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 02 — 2 January 2007 7 of 13
NXP Semiconductors
2PD2150
20 V, 3 A NPN low V
CEsat
(BISS) transistor
I
C
/I
B
=10
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
I
C
/I
B
=20
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 9. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
=50
(1) T
amb
= 100 °C
(2) T
amb
=25°C
(3) T
amb
= −40 °C
T
amb
=25°C; V
CE
=2V
Fig 10. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
Fig 11. Transition frequency as a function of emitter
current; typical values
006aaa960
10
−1
10
−2
1
V
CEsat
(V)
10
−3
I
C
(mA)
110
4
10
3
10 10
2
(1)
(2)
(3)
006aaa961
10
−1
10
−2
1
V
CEsat
(V)
10
−3
I
C
(mA)
110
4
10
3
10 10
2
(1)
(2)
(3)
006aaa962
10
−1
10
−2
1
V
CEsat
(V)
10
−3
I
C
(mA)
110
4
10
3
10 10
2
(1)
(2)
(3)
006aaa963
I
E
(mA)
−1 −10
3
−10
2
−10
10
2
10
10
3
f
T
(MHz)
1