Datasheet

BC807_BC807W_BC327_6 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 06 — 17 November 2009 6 of 19
NXP Semiconductors
BC807; BC807W; BC327
45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
V
CE
= −1 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
V
CE
= −1 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 1. Selection -16: DC current gain as a function of
collector current; typical values
Fig 2. Selection -25: DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
CE
= −1 V
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 3. Selection -40: DC current gain as a function of collector current; typical values
006aaa119
200
100
300
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
006aaa120
400
200
600
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
006aaa121
400
200
600
800
h
FE
0
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)