Datasheet

BC807_BC807W_BC327_6 © NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 06 — 17 November 2009 8 of 19
NXP Semiconductors
BC807; BC807W; BC327
45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 7. Selection -16: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
Fig 8. Selection- 25: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150 °C
(2) T
amb
= 25 °C
(3) T
amb
= −55 °C
Fig 9. Selection -40: Collector-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values
006aaa125
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
−10
−1
−1
V
CEsat
(V)
−10
−2
(1)
(2)
(3)
006aaa126
−10
−1
−10
−2
−1
V
CEsat
(V)
−10
−3
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)
006aaa127
−10
−1
−10
−2
−1
V
CEsat
(V)
−10
−3
I
C
(mA)
−10
−1
−10
3
−10
2
−1 −10
(1)
(2)
(3)