User manual
m) Junction FET‘s zijn conventionele veldef-
fecttransistoren
De spanning die op de gate-bronklem aanwezig is, stuurt de
stroom tussen de drain- en source-klemmen. N-Kanaal JFET’s
hebben een negatieve spanning op uw gate ten opzichte van de
bron nodig. Hoe negatiever de spanning is, des te minder stroom
kan er tussen de drain en de source stromen.
In tegenstelling tot de depletion type
MOSFET’s hebben JFET’s geen isola
-
tielaag op de gate. Dit betekent dat de
ingangsweerstand tussen gate en source
weliswaar normaliter zeer hoog is, maar
de gate-stroom kan verhogen, als de
halfgeleiderverbinding tussen gate en
source of tussen gate en drain vooruit
wordt gericht. Dat kan gebeuren, als de
gate-spanning met ca. 0,6 V hoger wordt
dan de drain- of source-aansluitingen
voor N-channel-apparaten of 0,6 V lager
is dan de drain- of source-aansluitingen
voor P-channel-apparaten.
De interne structuur van JFET’s is in
principe symmetrisch om de gate terminal
heen, d.w.z. de drain- en source-aanslui-
tingen kunnen niet worden onderschei-
den door de tester. Het JFET-type en de
gate-klem worden echter geïdenticeerd.
25