User manual

j) Chute de tension base-émetteur
LacaractéristiqueCCdelajonctionbase-émetteurs’afcheavec
aussi bien la chute de tension directe base-émetteur que le cou-
rant de base utilisé pour la mesure.
La chute de tension base-émetteur peut
être utile pour identier les appareils à
silicium ou à germanium. Les appareils
à germanium peuvent présenter des
tensions base-émetteur de jusqu’à 0,2 V,
les types à silicium indiquent des valeurs
d’environ 0,7 V et les transistors Dar-
lington peuvent présenter des valeurs
d’environ 1,2 V du fait des nombreuses
jonctions base-émetteur mesurées.
k) Courant de fuite du collecteur
Le courant du collecteur, qui est produit du fait de la circulation du
courant de base, est désigné sous le terme de courant de fuite.
La plupart des transistors modernes présentent des valeurs de
courant de fuite extrêmement faibles, souvent inférieures à 1 µA,
même à des tensions collecteur-émetteur très élevées.
Les modèles plus anciens à germanium,
en revanche, peuvent présenter un cou-
rant de fuite de collecteur important, no-
tammentàdestempératuresélevées(le
courant de fuite peut être très dépendant
de la température).
Si votre transistor est un modèle à silicium, partez du principe que
le courant de fuite sera d’un ordre de grandeur de 0,00 mA, sauf si
le transistor est défectueux.
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