User manual

m) Junction FETS są konwencjonalnymi tranzy-
storami polowymi
Napięcie,którejestprzyłożonedozaciskówźródłabramki,steruje
prądmiędzyzaciskamidrenuiźródła.N-kanałowetranzystoryJfet
wymagająujemnegonapięciawswojejbramcewodniesieniudo
źródła.Imnapięciejestbardziejujemne,tymmniejprądumoże
przepływaćmiędzydrenemiźródłem.
W przeciwieństwie do tranzystorów
Depletion Mode MOSFET, tranzystory
Jfet nie posiadają warstwy izolacyjnej
na bramce. Oznacza to, że rezystancja
wejściowamiędzybramkąiźródłemjest
wprawdziezazwyczajbardzowysoka,ale
prąd bramki może wzrosnąć, gdy połą
-
czenie półprzewodnikowe między bram-
kąiźródłemlubmiędzybramkąidrenem
skierowanejestdoprzodu.Możedotego
dojść,gdynapięciebramkibędziewyższe
ook.0,6Vniżprzyłączadrenulubźródła
dlaurządzeńN-kanałowychlubniższeo
0,6Vniżprzyłączadrenulubźródładla
urządzeńP-kanałowych.
Wewnętrzna struktura tranzystorów Jfet
jestzasadniczosymetrycznawokółtermi-
nalabramki,tzn.przyłączadrenuiźródła
niesąodróżnianeprzeztester.Tranzystor
typu JFET i zacisk bramki są jednakże
identykowane.
25