User Manual

3-25
華碩 ESC N4A-E11 使用手冊
TrdrdDd [Auto]
指定不同內存間讀取至讀取的周轉時間。設置值有：[Auto] [1 Clk] [2 Clk]
[3 Clk] [4 Clk] [5 Clk] [6 Clk] [7 Clk] [8 Clk] [9 Clk] [0Ah Clk] [0Bh Clk] [0Ch
Clk] [0Dh Clk] [0Eh Clk] [0Fh Clk]
ProcODT [Auto]
指定 Processor ODT。設置值有：[Auto] [High Impedance] [480 ohm]
[240 ohm] [160 ohm] [120 ohm] [96 ohm] [80 ohm] [68.6 ohm] [60 ohm]
[53.3 ohm] [48 ohm] [43.6 ohm] [40 ohm] [36.9 ohm] [34.3 ohm] [32
ohm] [30 ohm] [28.2 ohm]
DRAM Controller Configuration
DRAM Power Options
Power Down Enable [Auto]
本項目可以啟用或關閉 Power Down 模式。設置值有：[Disabled]
[Enabled] [Auto]
Power Down Entry Delay [BB8]
本項目可以指定數值 UMC::CH::DramTiming17 [19:8] PwrDownDly。
SubUrgRefLowerBound [4]
本項目可以指定保存的更新限制以進入次緊急更新模式。限制：
SubUrgRefLowerBound <= UrgRefLimit. Valid value: 6~1。
UrgRefLimit [6]
本項目可以指定保存的更新限制以進入緊急更新模式。限制：
SubUrgRefLowerBound <= UrgRefLimit. Valid value: 6~1。
TwrwrSc [Auto]
指定相同芯片選擇間寫入至寫入的周轉時間。設置值有：[Auto] [1 Clk] [2
Clk] [3 Clk] [4 Clk] [5 Clk] [6 Clk] [7 Clk] [8 Clk] [9 Clk] [0Ah Clk] [0Bh Clk]
[0Ch Clk] [0Dh Clk] [0Eh Clk] [0Fh Clk]
TwrwrSd [Auto]
指定相同內存間寫入至寫入的周轉時間。設置值有：[Auto] [1 Clk] [2 Clk]
[3 Clk] [4 Clk] [5 Clk] [6 Clk] [7 Clk] [8 Clk] [9 Clk] [0Ah Clk] [0Bh Clk] [0Ch
Clk] [0Dh Clk] [0Eh Clk] [0Fh Clk]
TwrwrDd [Auto]
指定不同內存間寫入至寫入的周轉時間。設置值有：[Auto] [1 Clk] [2 Clk]
[3 Clk] [4 Clk] [5 Clk] [6 Clk] [7 Clk] [8 Clk] [9 Clk] [0Ah Clk] [0Bh Clk] [0Ch
Clk] [0Dh Clk] [0Eh Clk] [0Fh Clk]
TrdrdSc [Auto]
指定相同芯片選擇間讀取至讀取的周轉時間。設置值有：[Auto] [1 Clk] [2
Clk] [3 Clk] [4 Clk] [5 Clk] [6 Clk] [7 Clk] [8 Clk] [9 Clk] [0Ah Clk] [0Bh Clk]
[0Ch Clk] [0Dh Clk] [0Eh Clk] [0Fh Clk]
TrdrdSd [Auto]
指定相同內存間讀取至讀取的周轉時間。設置值有：[Auto] [1 Clk] [2 Clk]
[3 Clk] [4 Clk] [5 Clk] [6 Clk] [7 Clk] [8 Clk] [9 Clk] [0Ah Clk] [0Bh Clk] [0Ch
Clk] [0Dh Clk] [0Eh Clk] [0Fh Clk]