System information

3-20
Chapter 3: UEFI BIOS 設定
Chapter 3
VTTCPU Voltage [Auto]
CPUに接続されているインターフェースへの供給電圧を設定します。
設定範囲は1.05000V～1.70000Vで、0.00625V刻みで調節します。
PCH 1.1v Voltage [Auto]
PCHに供給される1.1Vラインの電圧を設定します。
設定範囲は1.10000V～1.70000Vで、0.00625V刻みで調節します。
PCH 1.5v Voltage [Auto]
PCHに供給される1.5Vラインの電圧を設定します。設定範囲は 1.5000V～1.8000Vで、0.00625V
刻みで調節します。
VTTDDR Voltage (CHA, CHB) [Auto]
メモリースロットDIMM_A1/A2、DIMM_B1/B2への供給電圧を設定します。設定範囲は
0.6250V～1.10Vで、0.00625V刻みで調節します。
VTTDDR Voltage (CHC, CHD) [Auto]
メモリースロットDIMM_C1/C2、DIMM_D1/D2への供給電圧を設定します。設定範囲は
0.6250V～1.10Vで、0.00625V刻みで調節します。
DRAM CTRL REF Voltage on CHA [Auto]
メモリースロットDIMM_A1/A2のDRAM制御用の基準となる電圧の倍率を設定します。設定範囲
は0.395x ～0.630xで、0.005x刻みで調節します。
DRAM DATA REF Voltage on CHA [Auto]
メモリースロットDIMM_A1/A2のDRAMデータ信号の基準となる電圧の倍率を設定します。設定
範囲は0.395x ～0.630xで、0.005x刻みで調節します。
DRAM CTRL REF Voltage on CHB [Auto]
メモリースロットDIMM_A1/A2のDRAM制御用の基準となる電圧の倍率を設定します。設定範囲
は0.395x ～0.630xで、0.005x刻みで調節します。
DRAM DATA REF Voltage on CHB [Auto]
メモリースロットDIMM_B1/B2のDRAMデータ信号の基準となる電圧の倍率を設定します。設定
範囲は0.395x ～0.630xで、0.005x刻みで調節します。
DRAM CTRL REF Voltage on CHC [Auto]
メモリースロットDIMM_C1/C2のDRAM制御用の基準となる電圧の倍率を設定します。設定範囲
は0.395x ～0.630xで、0.005x刻みで調節します。