System information

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Chapter 4: ソフトウェア
Chapter 4
DRAM
DRAM-AB Current Capability
メモリースロットDIMM_A1/A2、DIMM_B1/B2に搭載されているメモリーへ供給する電流の上限値
を設定します。高い値を設定することにより、電力供給量が増加しオーバークロック可能な範囲が広
がりますが、VRMの消費電力は増加します。
DRAM-CD Current Capability
メモリースロットDIMM_C1/C2、DIMM_D1/D2に搭載されているメモリーへ供給する電流の上限値
を設定します。高い値を設定することにより、電力供給量が増加しオーバークロック可能な範囲が広
がりますが、VRMの消費電力は増加します。
DRAM-AB Voltage Frequency
メモリースロットDIMM_A1/A2、DIMM_B1/B2で使われているメモリー用VRMのスイッチング周波
数を設定します。高い値を設定することで応答性が向上します。
DRAM-CD Voltage Frequency
メモリースロットDIMM_C1/C2、DIMM_D1/D2で使われているメモリー用VRMのスイッチング周波
数を設定します。高い値を設定することで応答性が向上します。
DRAM-AB Power Phase Control
メモリースロットDIMM_A1/A2、DIMM_B1/B2で使われているメモリー用VRMのフェーズ制御方法
を 設定します。[Extreme]はすべての電圧調整モジュールを稼 働 す ること に よって シ ス テ ムパフォー
マンスが向上し、[Optimized]は効率的に電圧調整モジュール数を制御します。
DRAM-CD Power Phase Control
メモリースロットDIMM_C1/C2、DIMM_D1/D2で使われているメモリー用VRMのフェーズ制御方法
を 設定します。[Extreme]はすべての電圧調整モジュールを稼 働 す ること に よって シ ス テ ムパフォー
マンスが向上し、[Optimized]は効率的に電圧調整モジュール数を制御します。
最後に適用された値に戻す
設定を適用する
• 実際のパフォーマンスは取り付けられたCPUとメモリーによって異なります。
• 本項目の設定を変更する場合は、必ず適切な冷却装置を取り付けた上で行ってください。