User Guide

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第三章：BIOS 程序設置
第三章
MISC
DRAM Eventual Voltage (CHA/CHB/CHC/CHD) [Auto]
您可以在左側為內存設置電壓。設置值有：[Auto] [0.800] – [1.900]
DRAM CLK Period [Auto]
本項目用來設置內存時序週期。設置值有：[Auto] [1] – [19]
Memory optimize Control [Auto]
本項目用來最佳化內存控制。設置值有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
Enhanced Training (CHA/CHB/CHC/CHD) [Auto]
設置值有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
DRAM Training
MemTest [Auto]
啟用或關閉內存測試功能。設置值有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
Attempt Fast Boot [Auto]
本項目可以在啟動時跳過內存參考的一部分代碼，以增快啟動速度。設置值
有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
Attempt Fast Cold Boot [Auto]
本項目可以在啟動時跳過內存參考的一部分代碼，以增快啟動速度。設置值
有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
DRAM Training [Auto]
[Auto] 系統根據安裝內存選擇狀態
[Ignore] 系統忽略內存測試功能
[Enabled] 當出現問題時，系統將關閉內存通道
[Smart] 本項目可以讓系統自動測試內存以獲得更好的系統穩定性。
DRAM SPD Write [Disabled]
僅用於高級編程模式。開啟 DRAM SPD 編程功能以內存 SMBus 編程。
設置值有： [Disabled] [Enabled]
External DIGI+ Power Control
CPU Load-Line Calibration [Auto]
Load-line 是根據 Intel 所訂立的規格，且為將影響 CPU 電壓。CPU 運行電壓
將依 CPU 的負載呈比例性遞減，當您將此項目的設置值設置越高時，將可提高
電壓值與超頻能力，但會增加 CPU 及 VRM 的溫度。請從 Level 1 至 Level 9
來調整處理器電源電壓從 0% 至 125%。設置值有：[Auto] [Level 1] - [Level 9]
實際提昇的性能將視 CPU 型號而異。
請勿將散熱系統移除，散熱環境需受到監控。
CPU VRM Switching Frequency [Auto]
本項目會影響 VRM 暫態響應速度與元件溫度的生成。選擇 [Manual] 設置較高
的頻率可以獲得較快的暫態響應速度。設置值有：[Auto] [Manual]
請勿將散熱系統移除，散熱環境需受到監控。