User Guide

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第三章：BIOS 程式設定
第三章
MISC
DRAM Eventual Voltage (CHA/CHB/CHC/CHD) [Auto]
使用 <+> 或 <-> 按鍵來調整記憶體插槽的最終電壓。設定值以 0.10 為間隔，
變更的範圍從 0.8V 至 1.9V。
DRAM CLK Period [Auto]
本項目用來設定記憶體時脈週期。設定值有：[Auto] [1] – [19]
Memory optimize Control [Auto]
本項目用來最佳化記憶體控制。設定值有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
Enhanced Training (CHA/CHB/CHC/CHD) [Auto]
設定值有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
MemTest [Auto]
啟用或關閉記憶體測試功能。設定值有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
Attempt Fast Boot [Auto]
本項目可以在開機時跳過記憶體參考的一部分代碼，以增快開機速度。設定值
有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
Attempt Fast Cold Boot [Auto]
本項目可以在開機時跳過記憶體參考的一部分代碼，以增快開機速度。設定值
有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
External DIGI+ Power Control
CPU Input Boot Voltage [Auto]
本項目提供設定較高的處理器開機時電壓以獲得較佳的超頻相容性。您可以使
用 <+> 與 <-> 鍵調整數值，調整的數值以 0.01V 為間隔，變更的範圍從 0.80V 至
2.7V。
CPU Load-Line Calibration [Auto]
Load-line 是根據 Intel 所訂立的規格，且為將影響 CPU 電壓。CPU 運作電壓
將依 CPU 的負載呈比例性遞減，當您將此項目的設定值設定越高時，將可提高
電壓值與超頻能力，但會增加 CPU 及 VRM 的溫度。請從 Level 1 至 Level 9 來
調整處理器電源電壓從 0% 至 125%。設定值有：[Auto] [Level 1] - [Level 9]
實際提昇的效能將視 CPU 型號而異。
請勿將散熱系統移除，散熱環境需受到監控。