User Guide

華碩 X99-M WS/SE 主板用戶手冊
3-23
第三章
MISC
DRAM Eventual Voltage (CHA/CHB/CHC/CHD) [Auto]
使用 <+> 或 <-> 按鍵來調整內存插槽的最終電壓。設置值以 0.10 為間隔，更
改的範圍從 0.8V 至 1.9V。
DRAM CLK Period [Auto]
本項目用來設置內存時序週期。設置值有：[Auto] [1] – [19]
Memory optimize Control [Auto]
本項目用來最佳化內存控制。設置值有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
Enhanced Training (CHA/CHB/CHC/CHD) [Auto]
設置值有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
MemTest [Auto]
啟用或關閉內存測試功能。設置值有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
Attempt Fast Boot [Auto]
本項目可以在啟動時跳過內存參考的一部分代碼，以增快啟動速度。設置值
有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
Attempt Fast Cold Boot [Auto]
本項目可以在啟動時跳過內存參考的一部分代碼，以增快啟動速度。設置值
有：[Auto] [Enabled] [Disabled]
DRAM Training [Auto]
這個項目可以讓系統進行訓練所安裝內存的頻道狀態。設置值有：[Auto]
[Enabled] [Disabled]
DRAM SPD Write [Disabled]
本項目提供啟用或關閉 DRAM SPD（內存 SPD 暫存）寫入記憶在 SMBus 程
序。設置值有：[Enabled] [Disabled]
External DIGI+ Power Control
CPU Input Boot Voltage [Auto]
本項目提供設置較高的處理器啟動時的電壓以獲得較佳的超頻兼容性。您可
以使用 <+> 與 <-> 鍵調整數值，調整的數值以 0.01V 為間隔，更改的範圍從
0.80V 至 2.0V。
CPU Load-Line Calibration [Auto]
Load-line 是根據 Intel 所訂立的規格，且為將影響 CPU 電壓。CPU 運行電壓
將依 CPU 的負載呈比例性遞減，當您將此項目的設置值設置越高時，將可提高
電壓值與超頻能力，但會增加 CPU 及 VRM 的溫度。請從 Level 1 至 Level 9
來調整處理器電源電壓從 0% 至 125%。設置值有：[Auto] [Level 1] - [Level 9]
實際提昇的性能將視 CPU 型號而異。
請勿將散熱系統移除，散熱環境需受到監控。