User manual

Strona 23 z 29

Dystrybucja Conrad Electronic Sp. z o.o., ul. Kniaźnina 12, 31-637 Kraków, Polska

www.conrad.pl

15. Krok : czujnik dotykowy MOSFET

Układ ten z MOSFET BS170 (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) sterowany jest za

pomocą diody LED przez dwie pary styków, które można bezpośrednio łączyć lub dotykać za pomocą

palców. Po krótkim połączeniu styków odpowiedni stan jest przechowywany przez dłuższy okres

czasu.

Tranzystor NPN został przedstawiony w pierwszym doświadczeniu w prostym obwodzie

podstawowym. Prąd źródłowy musi płynąć aby przepływ prądu w kolektorze był możliwy.

Podobny eksperyment z MOSFET BS170 ukazuje kompletnie inne zachowania. MOSFET posiada trzy

terminale : brama ( G ), źródło (S) i dren (D) . Ten czas kontrolujący prąd nie jest zależny od prądu

wejściowego, lecz od napięcia między (G) i (S). Jeżeli napięcie dodatnie jest równe 2 V lub większe na

bramie (G), tranzystor przewodzi prąd. Terminal bramy jest całkowicie izolowana i tworzy mały

kondensator z około 20 pF . Raz naładowana brama powoduje, że napięcie bramki utrzymuje się

przez długi czas.

Rys. 38: Podstawowy układ MOSFET

Połącz na krótko zaciski A i B by naładować bramę. Dioda LED świeci i pozostaje w tym stanie. Podłącz

styki C i D by rozładować bramę i wyłączyć diodę LED. Każdy z tych dwóch możliwych stanów trwa

przez względnie długi okres czasu. Doświadczenie wykazuje podstawowe działania dynamicznego

zespołu składowania, które przechowuje również ładunek elektryczny, tak zilustrowany jest system

zero-jedynkowy. Jednocześnie obwód ten jest prostym przełącznikiem dotykowym, ponieważ

podczas kontaktu między A i B lub C i D dotknięcie ma taki sam efekt jak w bezpośredni kontakt.

Uwaga! Napięcie bramek większe niż 20 V nie jest dozwolone i może prowadzić do zniszczenia

tranzystora . Dlatego też należy być ostrożnym w kontakcie z ładunkiem elektrostatycznym. Zawsze

najpierw należy dotknąć zacisk źródła zasilania, tak aby ładunki zostały przeniesione. Istnieje

szczególne niebezpieczeństwo dla tranzystora jeśli dwie osoby dotknął tego samego obwodu. Mogą

one być inaczej elektrycznie naładowane, a rozładowanie przez tranzystor może spowodować

zniszczenie go.