Data Sheet

Data Sheet 1 1999-06-01
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
● Sehr enger Abstrahlwinkel
● GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
● Hohe Zuverlässigkeit
● Hohe Impulsbelastbarkeit
● Gruppiert lieferbar
● Gehäusegleich mit SFH 484
Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Geräten
Features
● Extremely narrow half angle
● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
● High reliability
● High pulse handling capability
● Available in groups
● Same package as SFH 484
Applications
● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers,
of various equipment
LD 274
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
5.7
5.1
29
27
1.8
1.2
0.8 0.4
Area not flat
0.6
0.4
Cathode (Diode)
Chip position
GEX06260
Collector (Transistor)
fex06260
1)
Nur auf Anfrage lieferbar.
1)
Available only on request.
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
LD 274 Q62703-Q1031 5-mm-LED-Gehäuse (T 1
3
/
4
), graugetöntes Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode
marking: shorter solder lead, flat
LD 274-2
1)
Q62703-Q1819
LD 274-3 Q62703-Q1820
Opto Semiconductors