Data Sheet

Data Sheet 2 1999-06-01
LD 274
Opto Semiconductors
Grenzwerte (T
A
= 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
; T
stg
– 40 ... + 100 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5V
Durchlaßstrom
Forward current
I
F
100 mA
Stoßstrom, t
p
= 10 µs, D = 0
Surge current
I
FSM
3A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
165 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
450 K/W
Kennwerte (T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
λ
peak
950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von I
max
Spectral bandwidth at 50 % of I
max
I
F
= 100 m A, t
p
= 20 ms
∆λ 55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle ϕ±10 Grad
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.09 mm
2
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
L × B
L
× W
0.3 × 0.3 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top H 4.9 ... 5.5 mm
Schaltzeiten, I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei I
F
= 100 mA, R
L
= 50 Ω
Switching times, I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, I
F
= 100 mA, R
L
= 50 Ω
t
r
, t
f
0.5 µs