Data Sheet

Data Sheet 3 1999-06-01
LD 274
Opto Semiconductors
Gruppierung der Strahlstärke I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr
Grouping of radiant intensity I
e
in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.001 sr
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Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
C
o
25 pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A, t
p
= 100 µs
V
F
V
F
1.30 (≤ 1.5)
1.90 (≤ 2.5)
V
V
Sperrstrom, V
R
= 5 V
Reverse current
I
R
0.01 (≤ 1)µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
Φ
e
15 mW
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw. Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of I
e
or Φ
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
– 0.55 %/K
Temperaturkoeffizient von V
F
, I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of V
F
, I
F
= 100 mA
TC
V
– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ, I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of λ, I
F
= 100 mA
TC
λ
+ 0.3 nm/K
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
LD 274 LD 274-2
1)
LD 274-3
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
50
–
50
100
80
–
mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A, t
p
= 100 µs I
e typ.
350 600 800 mW/sr
Kennwerte (T
A
= 25 °C) (cont’d)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit