Data Sheet

1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
Ultrafast Switching Si-Planar Diodes
Ultraschnelle Si-Planar-Dioden
Version 2012-07-30
Dimensions - Maße [mm]
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
500 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...100 V
Glass case
Glasgehäuse
~ DO-35
~ (SOD-27)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.13 g
Equivalent SMD-version
Äquvalente SMD-Ausführung
LL4148, LL4150
LL4151, LL4148
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (T
A
= 25°C) Grenzwerte (T
A
= 25°C)
Type
Typ
Reverse voltage
Sperrspannung
V
R
[V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
1N4148 75 100
1N4150 50 50
1N4151 50 75
1N4448 75 100
Type
Typ
1N4148
1N4448
1N4150 1N4151
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
I
FAV
150 mA
2
) 300 mA
2
) 200 mA
2
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
I
FRM
500 mA
2
) 600 mA
2
) 500 mA
2
)
Non-repetitive peak forward current
Stoßstrom-Grenzwert
t
p
= 1 µs
T
j
= 25°C
I
FSM
2000 mA 4000 mA 2000 mA
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
P
tot
500 mW
2
)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+200°C
-50...+200°C
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Ø 1.9
±0.1
Ø max 0.5
62.5
±3
3.9
±0.4