Instructions
7
4. Tag
JFET
J
113
4 Nur in eine Ric
h
tun
g
Hinter dem 4. Türchen fi nden Sie das wichti
g
ste Bauteil dieses Kalenders. Es handelt sich um den Feldeffekttransis
-
tor
(
FET
)
J113, und zwar um einen Sperrschicht-FET
(
JFET, J für Junction = Sperrschicht
)
. Er enthält also eine Diode,
die den Strom nur in eine Richtung leitet. Seine drei Anschlüsse heißen Gate
(
G
)
, Source
(
S
)
und Drain
(
D
)
. In diesem
Versuch leitet die Sperrschicht, die LED leuchtet also. Wenn man jedoch die beiden Anschlüsse vertauscht, geht die
LED aus. Verwenden Sie allerdings anstelle des Source-Anschlusses den Drain-Anschluss, ist die LED ebenfalls an.
Zwischen Gate und Source des Feldeffekttransistors liegt im leitenden Zustand eine Spannung von rund 0,7V – wie
bei einer in Durchlassrichtung eingebauten Si-Diode zwischen Anode und Kathode oder bei einem NPN-Transistor
zwischen Basis und Emitter oder zwischen Basis und Kollektor. Ein NPN-Transistor würde sich in dieser Schaltun
g
ähnlich verhalten. Ganz anders ist es bei einem MOS-FET, der ein isoliertes Gate hat, das in keiner Richtung leitet.
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