Owners Manual

canal 2: ranuras A3, A7 y A11
canal 3: ranuras A4, A8 y A12
Procesador 2 canal 0: ranuras B1, B5 y B9
canal 1: ranuras B2, B6 y B10
canal 2: ranuras B3, B7 y B11
canal 3: ranuras B4, B8 y B12
Pautas específicas de los modos
Cada procesador tiene asignados cuatro canales de memoria. Las configuraciones posibles dependen del
modo de memoria seleccionado.
NOTA: Se pueden mezclar módulos DIMM de DRAM x4 y x8 para admitir características RAS. Sin
embargo, se deben seguir todas las pautas específicas para RAS. Los módulos DIMM de DRAM x4
conservan SDDC (Single Device Data Correction, corrección de datos de dispositivo único) en el
modo optimizado (canal independiente) de memoria. Los módulos DIMM de DRAM x8 requieren de
ECC avanzada para lograr SDDC.
Las siguientes secciones incluyen pautas adicionales sobre la ocupación de las ranuras en cada modo.
Modo de memoria optimizada (canal independiente)
Este modo admite SDDC solo para módulos de memoria que utilicen amplitudes de dispositivo x4 y no
necesiten requisitos específicos en cuanto a la ocupación de ranuras.
Configuración de la memoria
La siguiente tabla muestra la configuración de memoria para una configuración de dos procesadores.
NOTA: En la siguiente tabla, 2R indica los módulos DIMM duales clasificados.
Tabla 1. Configuración de la memoria
Configuració
n
Capacida
d del
sistema
(en GB)
Tamañ
o de
módulo
DIMM
(en GB)
Número
de
módulos
DIMM
Caras,
organización y
frecuencia de los
módulos DIMM
Ocupación de las ranuras de
módulos DIMM
Estándar 64 8 8
2R, x8, 1600
MT/s
A1, A2, A3, A4
B1, B2, B3, B4
Alta
capacidad
128 16 8
2R, x8, 1600
MT/s
A1, A2, A3, A4
B1, B2, B3, B4
Extracción de los módulos de memoria
AVISO: Los módulos de memoria permanecen calientes al tacto durante un tiempo tras apagar el
sistema. Deje que los módulos de memoria se enfríen antes de manipularlos. Sujete los módulos
de memoria por los bordes de la tarjeta y evite tocar sus componentes o los contactos metálicos
en el módulo de memoria.
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