Owners Manual

• 基于 x4 和 x8 DRAM 的内存模块可以混用。有关更多信息，请参阅“模式特定原则”部分。
• 每个通道最多可填充三个双列或单列 RDIMM。
• 如果安装不同速度的内存模块，它们将以最低或较低安装内存模块速度运行（具体取决于系统 DIMM 配置）。
• 仅在安装处理器时填充内存模块插槽。对于单处理器系统，插槽 A1 至 A12 可用。对于双处理器系统，插槽 A1 至 A12 和插槽 B1
至 B12 可用。
• 首先填充所有带白色释放卡舌的插槽，然后填充带黑色释放卡舌的插槽，最后填充带绿色释放卡舌的插槽。
• 当混合使用具有不同容量的内存模块时，先用具有最高容量的内存模块填充插槽。例如，如果要混用 4 GB 和 8 GB 的内存模块，
则将 8 GB 内存模块填充在具有白色释放卡舌的插槽中，将 4 GB 内存模块填充在具有黑色释放卡舌的插槽中。
• 在双处理器配置中，每个处理器的内存配置应该相同。例如，如果填充处理器 1 的插槽 A1，则填充处理器 2 的插槽 B1，以此类
推。
• 如果遵循其他内存填充规则，则不同容量的内存模块可以混用（例如，4 GB 和 8 GB 内存模块可以混用）。
• 不支持在同一个系统中混合使用两个以上的内存模块容量。
• 每个处理器一次填充四个内存模块（每个通道一个 DIMM）以最大化性能。
模式特定原则
系统为每个处理器分配四个内存通道。所容许的配置取决于选取的内存模式。
高级纠错代码 (lockstep)
高级纠错代码 (ECC) 模式将 SDDC 从基于 x4 DRAM 的 DIMM 扩展到 x4 和 x8 DRAM。这样可防止正常操作期间单个 DRAM 芯片出
现故障。
内存模块的安装原则如下：
• 所有内存模块在大小、速度和技术上必须相同。
• 安装在带有白色释放杆的内存插槽中的 DIMM 必须相同，并且相同的规则适用于带黑色和绿色释放卡舌的插槽。这可确保相同
DIMM 成对匹配安装 — 例如，A1 与 A2、A3 与 A4、A5 与 A6 等等。
内存优化（独立通道）模式
此模式仅针对使用 x4 设备宽度的内存模块支持单设备数据纠正 (SDDC)，不会产生任何特定插槽填充要求。
内存备用
注: 要使用内存备用，必须在系统设置程序中启用此功能。
在此模式下，每个通道一列保留作为备用列。如果在列上检测到持久可纠正错误，将此列中的数据复制到备用列，并禁用出现故障
的列。
如果启用内存备用，对操作系统可用的系统内存将每个通道减少一列。 例如，在具有 16 个 4 GB 单列内存模块的双处理器配置中，
可用系统内存为：3/4（列/通道）× 16（内存模块）× 4 GB = 48 GB，而不是 16（内存模块）× 4 GB = 64 GB。
注: 内存备用不提供针对多位不可纠正错误的保护。
注: 高级 ECC/Lockstep 和优化器模式均支持内存备用。
内存镜像
内存镜像提供相比所有其他模式最强大的内存模块可靠性模式，从而提供改进的不可纠正的多位故障保护。在镜像配置中，总可用
系统内存为总安装物理内存的一半。安装内存的一半用于镜像激活的内存模块。如果发生不可纠正错误，系统将切换至镜像副本。
这可确保 SDDC 和多位保护。
内存模块的安装原则如下：
• 所有内存模块在大小、速度和技术上必须相同。
• 安装在带有白色释放杆的内存模块插槽中的内存模块必须相同，并且相同的规则适用于带黑色和绿色释放卡舌的插槽。这可确保
相同内存模块成对匹配安装 — 例如，A1 与 A2、A3 与 A4、A5 与 A6 等等。
表
. 31: 处理器配置
处理器 配置 内存填充规则 内存填充信息
单 CPU
内存填充顺序
{1,2}, {3,4}
请参阅内存镜像备注
66
安装和卸下系统组件