Owners Manual

메모리 버스 작동 주파수는 다음 요인에 따라 2666MT/s, 2400MT/s 또는 2133MT/s일 수 있습니다.
• 선택한 시스템 프로필(예: Performance Optimized(최적화된 성능) 또는 Custom(사용자 정의)[고속 또는 저속에서 실행 가능])
• 프로세서의 지원되는 최대 DIMM 속도
• DIMM의 지원되는 최대 속도
노트: MT/s는 DIMM 속도를 초당 메가전송 단위로 나타냅니다.
이 시스템은 유연한 메모리 구성을 지원하므로, 시스템은 모든 유효한 칩셋 아키텍처에 따라 구성되고 해당 구성에서 실행될 수 있습
니다. 다음은 메모리 모듈 설치에 권장되는 지침입니다.
• 모든 DIMM은 DDR4이어야 합니다.
• RDIMM과 LRDIMM을 혼합하여 사용할 수 없습니다.
• NVDIMM과 LRDIMM은 혼합하여 사용할 수 없습니다.
• NVDIMM과 RDIMM은 혼합하여 사용할 수 있습니다.
• DDP(Dual Die Package) LRDIMM인 64GB LRDIMM과 TSV(Through Silicon Via/3DS) LRDIMM인 128GB LRDIMM은 혼합하여 사용할
수 없습니다.
• x4 및 x8 DRAM 기반 메모리 모듈은 혼합하여 사용할 수 있습니다.
• 랭크 개수에 관계없이 채널당 최대 2개의 RDIMM을 장착할 수 있습니다.
• 랭크 개수에 관계없이 채널당 최대 2개의 LRDIMM을 장착할 수 있습니다.
• 랭크 개수에 관계없이 최대 2개의 랭크된 DIMM을 채널에 장착할 수 있습니다.
• 각각 다른 속도를 가진 메모리 모듈이 설치되면 설치된 메모리 모듈 중 가장 느린 모듈의 속도로 작동하게 됩니다.
• 프로세서가 설치된 경우에만 메모리 모듈 소켓을 채웁니다.
– 단일 프로세서 시스템의 경우 A1~A12 소켓을 사용할 수 있습니다.
– 듀얼 프로세서 시스템의 경우 A1~A12 소켓 및 B1~B12 소켓을 사용할 수 있습니다.
– 단일 프로세서 시스템의 경우 A1~A8 소켓을 사용할 수 있습니다.
– 듀얼 프로세서 시스템의 경우 A1~A8 소켓 및 B1~B8 소켓을 사용할 수 있습니다.
• 흰색 분리 탭이 있는 모든 소켓을 먼저 채우고 검은색 분리 탭을 채웁니다.
• 용량이 다른 메모리 모듈과 혼합하여 사용하는 경우에는 용량이 가장 높은 메모리 모듈을 먼저 소켓에 장착합니다.
예를 들어, 8GB 메모리 모듈과 16GB 메모리 모듈을 혼합하려면 흰색 분리 탭이 있는 소켓에 16GB 메모리 모듈을 장착하고 검은색
분리 탭이 있는 소켓에 8GB 메모리 모듈을 장착합니다.
• 메모리 채우기에 대해 다른 규칙을 따르는 경우, 용량이 다른 메모리 모듈을 혼합할 수 있습니다.
예를 들어, 8GB 메모리 모듈과 16GB 메모리 모듈을 혼합하여 사용할 수 있습니다.
• 이중 프로세서 구성에서 각 프로세서에 대한 메모리 구성은 동일해야 합니다.
예를 들어, 프로세서 1에 소켓 A1을 장착하는 경우 프로세서 2에 소켓 B1을 장착합니다.
• 시스템에 세 개 이상의 DIMM 혼합은 지원되지 않습니다.
• 불균형적 메모리 구성은 성능 저하를 일으키므로 최적의 성능을 위해 항상 동일한 DIMM으로 메모리 채널을 동일하게 채웁니다.
• 성능을 극대화하려면 프로세서당 6개의 동일한 메모리 모듈(채널당 1개의 DIMM)을 동시에 장착합니다.
DIMM 채우기는 Performance Optimized(최적화된 성능) 모드에서 프로세서당 4개 및 8개의 DIMM 수량으로 업데이트됩니다.
• DIMM 수량이 4개인 경우 슬롯 1, 2, 4, 5를 채웁니다.
• DIMM 수량이 8개인 경우 슬롯 1, 2, 4, 5, 7, 8, 10, 11을 채웁니다.
모드별 지침
허용되는 구성은 시스템 BIOS에서 선택한 메모리 모드에 따라 다릅니다.
시스템 구성 요소 설치 및 분리 71