Service Manual
Technologies et composants
Ce chapitre décrit les technologies et les composants disponibles dans le système.
Sujets :
• DDR4
• Fonctionnalités USB
• HDMI
DDR4
La mémoire DDR4 (double débit de données de quatrième génération) est la technologie qui succède aux mémoires DDR2 et DDR3. Plus
rapide que ses prédécesseurs, elle prend en charge jusqu’à 512 Go par rapport à la capacité maximale de la mémoire DDR3 de 128 Go par
DIMM. La mémoire vive dynamique synchrone DDR4 est munie d’un détrompeur diérent de celui des modules SDRAM et DDR de manière
à empêcher l’installation du mauvais type de mémoire dans le système.
La mémoire DDR4 nécessite une tension de 1,2 V, soit 20 % de moins que la technologie DDR3 qui nécessite une tension de 1,5 V. La
mémoire DDR4 prend également en charge un nouveau mode de veille profonde qui permet à l’appareil hôte de se mettre en veille sans
nécessiter d’actualiser sa mémoire. Le mode de veille profonde devrait réduire la consommation électrique en mode veille de 40 à 50 %.
Caractéristiques clés
Le tableau suivant compare les caractéristiques des mémoires DDR3 et DDR4 :
Tableau 1. DDR4 et DDR3
Fonctionnalité/Option DDR3 DDR4 Avantages de la mémoire DDR4
Densités des puces 512 Mo-8 Go 4 Go-16 Go Plus grandes capacités DIMM
Débits de données 800 Mo/s-2 133 Mo/s 1 600 Mo/s-3 200 Mo/s Migration à des E/S à haut débit
Tension 1,5 V 1,2 V Demande de réduction de
l’alimentation mémoire
Standard de basse tension Oui (DDR3L à 1,35 V) Prévu à 1,05 V Réductions de l’alimentation
mémoire
Bancs internes 8 16 Débits de données supérieurs
Groupes de bancs (BG) 0 4 Accès en rafale plus rapide
Entrées VREF 2 —DQS et CMD/ADDR 1 — CMD/ADDR VREFDQ interne maintenant
tck - DLL activé 300 MHz-800 MHz 667 MHz-1,6 GHz Débits de données supérieurs
tck - DLL désactivé 10 MHz - 125 MHz (en option) Non déni à 125 MHz Désactivation de DLL
maintenant entièrement prise en
charge
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