Service Manual

Χαρακτηριστικό/Επιλογή DDR3 DDR4 Πλεονεκτήματα DDR 4
Αδρανοποιημένο tCK – DLL 10 MHz – 125 MHz
(προαιρετικό)
Μη καθορισμένο έως 125 MHz Πλήρης υποστήριξη DLL-o
τώρα
Χρόνος καθυστέρησης
ανάγνωσης
AL+CL AL+CL Διευρυμένες τιμές
Χρόνος καθυστέρησης
εγγραφής
AL+CWL AL+CWL Διευρυμένες τιμές
Πρόγραμμα οδήγησης DQ
(ALT)
40 Ω 48 Ω Βέλτιστο για εφαρμογές PtP
Δίαυλος DQ SSTL15 POD12 Λιγότερος θόρυβος και ισχύς
εισόδου/εξόδου
Τιμές RTT (σε &Omega) 120, 60, 40, 30, 20 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 Υποστήριξη υψηλότερων
ρυθμών μεταφοράς
δεδομένων
RTT μη επιτρεπόμενο Ριπές READ Αδρανοποίηση κατά τις ριπές
READ
Ευκολία χρήσης
Λειτουργίες ODT Ονομαστική, Δυναμική Ονομαστική, Δυναμική, Park Πρόσθετη λειτουργία ελέγχου,
αλλαγή τιμής OTF
Έλεγχος ODT Απαιτείται σήμα ODT Δεν απαιτείται σήμα ODT Ευκολία ελέγχου ODT,
επιτρέπει δρομολόγηση εκτός
ODT, εφαρμογές PtP
Καταχωρητής πολλαπλών
χρήσεων
4 καταχωρητές: 1
καθορισμένος, 3 RFU
4 καταχωρητές: 3
καθορισμένοι, 1 RFU
Παρέχει πρόσθετες
εξειδικευμένες ενδείξεις
Τύποι DIMM RDIMM, LRDIMM, UDIMM,
SODIMM
RDIMM, LRDIMM, UDIMM,
SODIMM
Ακίδες DIMM 240 (R, LR, U), 204 (SODIMM) 288 (R, LR, U), 260 (SODIMM)
RAS ECC CRC, Ισοτιμία,
Διευθυνσιοδότηση, GDM
Περισσότερα χαρακτηριστικά
RAS. βελτιωμένη ακεραιότητα
δεδομένων
Λεπτομέρειες της DDR4
Υπάρχουν μικρές διαφορές μεταξύ των μονάδων μνήμης DDR3 και DDR4, οι οποίες περιγράφονται παρακάτω.
Διαφορά κύριας εγκοπής
Η κύρια εγκοπή σε μια μονάδα DDR4 βρίσκεται σε διαφορετική θέση από την κύρια εγκοπή σε μια μονάδα DDR3. Και οι δύο εγκοπές
βρίσκονται στην πλευρά εισαγωγής, αλλά η θέση της εγκοπής στην DDR4 είναι ελαφρώς διαφορετική, ώστε να εμποδίζεται η
τοποθέτηση της μονάδας σε μη συμβατές πλακέτες ή πλατφόρμες.
10
Τεχνολογία και εξαρτήματα