Owners Manual

채널 3: 메모리 소켓 B4, B8 및 B12
프로세서 3 채널 0: 메모리 소켓 C1, C5 및 C9
채널 1: 메모리 소켓 C2, C6 및 C10
채널 2: 메모리 소켓 C3, C7 및 C11
채널 3: 메모리 소켓 C4, C8 및 C12
프로세서 4 채널 0: 메모리 소켓 D1, D5 및 D9
채널 1: 메모리 소켓 D2, D6 및 D10
채널 2: 메모리 소켓 D3, D7 및 D11
채널 3: 메모리 소켓 D4, D8 및 D12
다음 표는 지원되는 구성의 메모리 장착 및 작동 주파수를 보여 줍니다.
표 20. 지원되는 구성
DIMM 유형 장착되는 DIMM/
채널
전압 작동 주파수(MT/s) 최대 DIMM 랭크/채널
RDIMM 1
1.2V
2400, 2133, 1866
단일 및 이중 등급
2 2400, 2133, 1866
단일 및 이중 등급
3 1866
단일 및 이중 등급
LRDIMM 1
1.2V
2400, 2133, 1866
4중 랭크
2 2400, 2133, 1866
4중 랭크
3 2133
4중 랭크
일반 메모리 모듈 설치 지침
이 시스템은 Flexible Memory Configuration(유연한 메모리 구성)을 지원하므로, 시스템은 모든 유효한 칩셋
아키텍처에 따라 구성되고 해당 구성에서 실행될 수 있습니다. 다음은 최적 성능을 위해 권장되는 지침입니다.
• LRDIMM과 RDIMM을 혼합해서는 안 됩니다.
• x4 및 x8 DRAM 기반 DIMM은 혼합할 수 있습니다. 자세한 내용은 모드별 지침을 참조하십시오.
• 채널에 최대 3개의 단일 또는 이중 랭크 RDIMM을 장착할 수 있습니다.
• 랭크 개수에 관계없이 최대 3개의 LRDIMM을 장착할 수 있습니다.
• 성능을 극대화하려면 프로세서당 4개의 DIMM(채널당 1개의 DIMM)을 동시에 장착합니다.
• 속도가 각기 다른 메모리 모듈이 설치되어 있는 경우 설치된 메모리 모듈 중 가장 느린 모듈의 속도로 작동
하거나 시스템 DIMM 구성에 따라 더 느린 속도로 작동합니다.
• 다음과 같은 프로세서 방열판 구성에 따라 DIMM을 장착합니다.
• 프로세서가 설치된 경우에만 DIMM 소켓을 채우십시오. 단일 프로세서 시스템의 경우 A1-A12 소켓을 사용
할 수 있습니다. 이중 프로세서 시스템의 경우에는 A1-A12 소켓 및 B1-B12 소켓을 사용할 수 있습니다.
• 흰색 분리 탭이 있는 소켓부터 시작하여 검정색 분리 탭이 있는 소켓과 녹색 분리 탭이 있는 소켓을 순서대
로
모두 채웁니다.
• 용량을 기준으로 가장 높은 DIMM부터 흰색 분리 레버가 있는 소켓에 먼저 장착하고 검정색 분리 레버가
있는 소켓에 순서대로 장착합니다. 예를 들어, 16GB와 8GB DIMM을 혼합하려면 흰색 분리 탭이 있는 소켓
에 16GB DIMM을 장착하고 검정색 분리 탭이 있는 소켓에 8GB DIMM을 장착합니다.
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