Owners Manual

DIMM 类型填充的 DIMM 数/通道操作频率 (MT/s) 最大 DIMM 列数/通道

1.2 V

RDIMM

1 2133

单列或双列

2 1866

一般内存模块安装原则

您的系统支持 Flexible Memory Configuration（灵活内存配置），使系统能够在任何有效芯片组结构配置中

配置和运行。下面是建议的内存模块安装原则：

• 基于 x4 和 x8 DRAM 的 DIMM 可以混用。有关详细信息，请参阅模式特定原则。

• 每个通道最多可填充两个双列或单列 RDIMM。

• 仅在安装处理器时填充 DIMM 插槽。对于单处理器系统，插槽 A1 至 A8 可用。对于双处理器系统，插槽

A1 至 A8 和插槽 B1 至 B8 可用。

• 首先填充具有白色释放拉杆的所有插槽，然后再填充具有黑色释放拉杆的所有插槽。

• 当混合使用具有不同容量的内存模块时，先用具有最高容量的内存模块填充插槽。例如，如果要混用 4 GB

和 8 GB 的 DIMM，则将 8 GB DIMM 填充在具有白色释放杆的插槽中，将 4 GB DIMM 填充在具有黑色释

放杆的插槽中。

• 在双处理器配置中，前八个插槽中的每个处理器的内存配置应该相同。例如，如果填充处理器 1 的插槽

A1，则填充处理器 2 的插槽 B1，以此类推。

• 如果遵循其他内存填充规则，则不同容量的内存模块可以混用（例如，4 GB 和 8 GB 内存模块可以混

用）。

• 不支持在同一个系统中混合使用两个以上的 DIMM 容量。

• 每个处理器一次填充两个 DIMM（每个通道一个 DIMM）以最大化性能。

模式特定原则

每个处理器均分配有四个内存通道。所选的内存模式将决定允许的配置。

注: 如果支持 RAS 功能，基于 x4 和 x8 DRAM 的 DIMM 可以混用。但是，必须遵循特定 RAS 功能的所

有原则。基于 X4 DRAM 的 DIMM 在内存优化（独立通道）模式下保留单设备数据校正 (SDDC)。基于

X8 DRAM 的 DIMM 需要高级 ECC 模式以获得 SDDC。

下面各节提供每个模式的其他插槽填充原则。

高级 ECC (Lockstep)

高级 ECC 模式将 SDDC 从基于 x4 DRAM 的 DIMM 扩展到 x4 和 x8 DRAM。这样可防止正常操作期间单个

DRAM 芯片故障。

内存模块的安装原则如下：

• 所有内存模块在大小、速度和技术上必须相同。

• 安装在带有白色释放杆的内存插槽中的 DIMM 必须相同，并且相同的规则适用于带黑色和绿色释放卡舌的

插槽。这可确保相同 DIMM 成对匹配安装 — 例如，A1 与 A2、A3 与 A4、A5 与 A6 等等。

注: 不支持带镜像功能的高级 ECC。