Owners Manual

• 如果在具有白色释放卡舌的第一个插槽中填充四列 RDIMM，则请勿填充具有绿色释放卡舌的通道中的第三
个 DIMM 插槽。
• 按以下顺序按最高列数填充插槽 — 首先填充具有白色释放拉杆的插槽，再填充具有黑色释放拉杆的插槽，
最后填充具有绿色释放拉杆的插槽。例如，如果要混用四列和双列 DIMM，则填充具有白色释放卡舌的插
槽中的四列 DIMM，再填充具有黑色释放卡舌的插槽中的双列 DIMM。
• 在双处理器配置中，每个处理器的内存配置应该相同。例如，如果填充处理器 1 的插槽 A1，则填充处理器
2 的插槽 B1，以此类推。
• 如果遵循其它内存安装规则，则不同大小的内存模块可以混用（例如，2 GB 和 4 GB 内存模块可以混用）。
• 每个处理器一次填充四个 DIMM（每个通道一个 DIMM）以最大化性能。
• 如果安装不同速度的内存模块，它们将以最低或较低安装内存模块速度运行（具体取决于系统 DIMM 配
置）。
模式特定原则
每个处理器均分配有四个内存通道。所选的内存模式将决定允许的配置。
注: 如果支持 RAS 功能，基于 x4 和 x8 DRAM 的 DIMM 可以混用。但是，必须遵循特定 RAS 功能的所有原
则。基于 X4 DRAM 的 DIMM 在内存优化（独立通道）模式下保留单设备数据校正 (SDDC)。基于 X8 DRAM
的 DIMM 需要高级 ECC 模式以获得 SDDC。
下面各节提供每个模式的其它插槽填充原则。
高级 ECC (Lockstep)
高级 ECC 模式将 SDDC 从基于 x4 DRAM 的 DIMM 扩展到 x4 和 x8 DRAM。这样可防止正常操作期间单个 DRAM
芯片故障。
内存安装原则：
• 所有内存模块在大小、速度和技术上必须相同。
• 带有白色释放卡舌的内存插槽中安装的 DIMM 必须相同，类似规则适用于带黑色和绿色释放卡舌的插槽。
这可确保相同 DIMM 以匹配对安装 - 例如，A1 与 A2、A3 与 A4、A5 与 A6 等。
注: 不支持带镜像功能的高级 ECC。
内存优化（独立通道）模式
此模式仅针对使用 x4 设备宽度的内存模块支持 SDDC，不会产生任何特定插槽填充要求。
内存备用
注: 要使用内存备用，必须在系统设置程序中启用此功能。
在此模式下，每个通道的一列保留作为备用列。如果在列上检测到持久可纠正错误，将复制此列中的数据到备
用列，并禁用出现故障的列。
如果启用内存备用，对操作系统可用的系统内存将每个通道减少一列。例如，在具有 16 个 4 GB 双列 DIMM 的
双处理器配置中，可用系统内存为：3/4（列/通道）× 16 (DIMM) × 4 GB = 48 GB，而不是 16 (DIMM) × 4 GB = 64
GB。
注: 内存备用不提供针对多位不可纠正错误的保护。
注: 高级 ECC/Lockstep 和优化器模式均支持内存备用。
内存镜像
内存镜像提供相比所有其它模式最强大的 DIMM 可靠性模式，从而提供改进的不可纠正的多位故障保护。在镜
像配置中，总可用系统内存为总安装物理内存的一半。安装内存的一半用于镜像激活的 DIMM。如果发生不可
纠正错误，系统将切换至镜像副本。这可确保 SDDC 和多位保护。
内存安装原则：
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