Owners Manual

DIMM 类型 填充的 DIMM 数/
通道
操作频率 (MT/s) 最大 DIMM 列数/通道
1.5 V 1.35 V
RDIMM 1 1600、1333、1066 和
800
1333、1066 和 800
双列
1066 和 800 800
四列
2 1600、1333、1066 和
800
1333、1066 和 800
双列
800 800
四列
3 1066 和 800
不适用 双列
LRDIMM 1 1333 和 1066 1333 和 1066
四列
2 1333 和 1066 1333 和 1066
四列
3 1066 1066
四列
一般内存模块安装原则
此系统支持灵活内存配置，使系统能够在任何有效芯片集结构配置中配置和运行。下面是建议的最佳性能原
则：
• UDIMM、RDIMM 和 LRDIMM 不得混用。
• 基于 x4 和 x8 DRAM 的 DIMM 可以混用。有关详情，请参阅“模式特定原则”。
• 一个通道中最多可填充两个 UDIMM。
• 每个通道中最多可填充两个四列 RDIMM 和三个双列或单个 RDIMM。当在具有白色释放拉杆的第一个插槽
中填充四列 RDIMM 时，具有绿色释放拉杆的通道中第三个 DIMM 插槽无法填充。
• 无论列数是多少，最多可以安装三个 LRDIMM。
• 仅在安装处理器时填充 DIMM 插槽。对于单处理器系统，插槽 A1 至 A12 可用。对于双处理器系统，插槽
A1 至 A12 和插槽 B1 至 B12 可用。
• 先填充具有白色释放卡舌的所有插槽，再填充具有黑色卡舌的插槽，最后填充具有绿色卡舌的插槽。
• 如果在具有白色释放卡舌的第一个插槽中填充四列 RDIMM，则请勿填充具有绿色释放卡舌的通道中的第三
个 DIMM 插槽。
• 按以下顺序按最高列数填充插槽 — 首先填充具有白色释放拉杆的插槽，再填充具有黑色释放拉杆的插槽，
最后填充具有绿色释放拉杆的插槽。例如，如果要混用四列和双列 DIMM，则填充具有白色释放卡舌的插
槽中的四列 DIMM，再填充具有黑色释放卡舌的插槽中的双列 DIMM。
• 在双处理器配置中，每个处理器的内存配置应该相同。例如，如果填充处理器 1 的插槽 A1，则填充处理器
2 的插槽 B1，以此类推。
• 如果遵循其它内存安装规则，则不同大小的内存模块可以混用（例如，2 GB 和 4 GB 内存模块可以混用）。
• 每个处理器一次填充四个 DIMM（每个通道一个 DIMM）以最大化性能。
• 如果安装不同速度的内存模块，它们将以最低或较低安装内存模块速度运行（具体取决于系统 DIMM 配
置）。
模式特定原则
每个处理器均分配有四个内存通道。所选的内存模式将决定允许的配置。
注: 如果支持 RAS 功能，基于 x4 和 x8 DRAM 的 DIMM 可以混用。但是，必须遵循特定 RAS 功能的所有原
则。基于 X4 DRAM 的 DIMM 在内存优化（独立通道）模式下保留单设备数据校正 (SDDC)。基于 X8 DRAM
的 DIMM 需要高级 ECC 模式以获得 SDDC。
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