Owners Manual

Tabel 2. Specificațiile procesoarelor Intel Core din a opta generație
Tip
Plăci grafice UMA
Procesor Intel Xeon E E-2174G (4 nuclee HT,
memorie cache de 8MB, 3,8 GHz, 4,7 GHz)
Placă grafică Intel UHD 630
Procesor Intel Core i7-8700 (6 nuclee, memorie
cache de 12 MB, 3,20 GHz, 4,6 GHz)
Placă grafică Intel UHD 630
DDR4
Tehnologia memoriei DDR4 (double data rate fourth generation - rată dublă a datelor, a patra generație) este o succesoare cu viteză mai
mare a tehnologiilor DDR2 și DDR3 care permite o capacitate de până la 512 GB, comparativ cu performanța maximă de 128 GB per DIMM
a memoriei DDR3. Memoria DDR4 cu acces aleator sincronizat dinamic este codificată diferit de memoriile SDRAM și DDR, pentru a
preveni instalarea de către utilizator a tipului incorect de memorie în sistem.
DDR4 are nevoie de o tensiune cu 20 % mai mică sau de numai 1,2 V, în comparație cu memoria DDR3, care necesită 1,5 V de alimentare
electrică pentru a funcționa. De asemenea, DDR4 acceptă un nou mod de oprire, care permite dispozitivului gazdă să intre în starea de
veghe fără a fi necesar să se reîmprospăteze memoria. . Se preconizează că modul de repaus profund reduce consumul de energie cu
40-50%.
Detalii despre DDR4
Între modulele de memorie DDR3 și DDR4 există anumite diferențe, după cum urmează.
Diferență între șanțurile pentru cheie
șanțul pentru cheie de pe un modul DDR4 se află în alt loc față de cel de pe modulul DDR3. Ambele șanțuri se află pe marginea de inserție,
dar locația șanțului de pe DDR4 este ușor diferită, pentru a se preveni instalarea modulului pe o placă sau o platformă incompatibilă.
Figura 1. Diferența între șanțuri
Grosime mai mare
Modulele DDR4 sunt puțin mai groase decât DDR3, pentru a îngloba mai multe straturi de semnal.
Figura 2. Diferența de grosime
Margine curbată
Modulele DDR4 au o margine curbată pentru putea fi inserate mai ușor și pentru a reduce apăsarea asupra plăcii cu circuite imprimate în
timpul instalării memoriei.
Tehnologie și componente
9