Owners Manual

テクノロジとコンポーネント
この章には、システムで使用可能なテクノロジーとコンポーネントの詳細が掲載されています。
DDR4
DDR4（ダブル データ レート第 4 世代）メモリは、DDR2 および DDR3 テクノロジーを高速化した後継メモリです。DDR3 の
容量は DIMM あたり最大 128 GB ですが、DDR4 では最大 512 GB です。ユーザーが間違った種類のメモリーをシステムに取り
付けるのを避けるため、DDR4 同期ダイナミック ランダム アクセス メモリーの設計は、SDRAM および DDR と異なっていま
す。
DDR4 に必要な動作電圧はわずか 1.2 ボルトで、1.5 ボルトを必要とする DDR3 と比較して 20 パーセント低くなっています。
DDR4 は、ホスト デバイスがメモリーをリフレッシュしなくてもスタンバイに移行できる、ディープ パワーダウン モードも
サポートしています。ディープ パワーダウン モードでは、スタンバイ電力消費量が 40～50 パーセント低減されると期待さ
れています。
DDR4 の詳細
DDR3 と DDR4 メモリ モジュール間には、以下の微妙な違いがあります。
切り込みの違い
DDR4 モジュールの切り込みは、DDR3 モジュールの切り込みとは別の位置にあります。切り込みは両方とも挿入側にありま
すが、DDR4 の切り込みの位置は若干異なっています。これにより、モジュールが互換性のないボードまたはプラットフォー
ムに取り付けられないようにします。
図 1. 切り込みの違い
厚み増加
DDR4 モジュールは DDR3 より若干厚く、より多くの信号レイヤーに対応します。
図 2. 厚みの違い
カーブしたエッジ
DDR4 モジュールのエッジはカーブしているため挿入が簡単で、メモリーの取り付け時にかかる PCB への圧力を和らげます。
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