Owners Manual

NOTA: Se pueden mezclar módulos DIMM de DRAM x4 y x8 para admitir características RAS. Sin
embargo, se deben seguir todas las pautas específicas para RAS. Los módulos DIMM de DRAM x4
conservan SDDC (Corrección de datos de dispositivo único - SDDC) en el modo optimizado (canal
independiente) de memoria. Los módulos DIMM de DRAM x8 requieren de ECC avanzada para
lograr SDDC.
Las siguientes secciones proporcionan pautas adicionales sobre la ocupación de ranuras en cada modo:
Modo de memoria optimizada (canal independiente)
Este modo admite Single Device Data Correction (Corrección de datos de dispositivo único - SDDC) sólo
para módulos de memoria que utilicen amplitudes de dispositivo x4. No impone requisitos específicos en
cuanto a la ocupación de ranuras.
Configuraciones de memoria de muestra
Las tablas siguientes muestran ejemplos de configuraciones de memoria para sistemas de uno y dos
procesadores, que respetan las pautas de memoria adecuadas según se detallan en esta sección.
NOTA: 1R y 2R indican en las siguientes tablas módulos DIMM simples y duales respectivamente.
Tabla 12. Configuraciones de memoria: un solo procesador
Capacidad del
sistema (en
GB)
Tamaño de
módulo
DIMM (en
GB)
Número de
módulos
DIMM
Caras, organización y
frecuencia de los
módulos DIMM
Ocupación de las ranuras de
módulos DIMM
64 16 4
2R, x8, 2133 MT/s, A1, A2, A3, A4
128 16 8
2R, x4, 2133 MT/s, A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7, A8
192 32 6
RDIMM, 2R, x4, 2133
MT/s
A1, A2, A3, A4, A5, A6
Tabla 13. Configuraciones de memoria: dos procesadores
Capacidad
del sistema
(en GB)
Tamaño de
módulo DIMM
(en GB)
Número de
módulos
DIMM
Caras, organización y
frecuencia de los
módulos DIMM
Ocupación de las ranuras de
módulos DIMM
64 16 4
2R, x8, 2133 MT/s, A1, A2, B1, B2
128 16 8
2R, x4, 2133 MT/s, A1, A2, A3, A4, B1, B2, B3, B4
192 16 12
2R, x4, 2133 MT/s, A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7, A8,
B1, B2, B3, B4
384 32 12
RDIMM, 2R, x4, 2133
MT/s
A1, A2, A3, A4, A5, A6, A7, A8,
B1, B2, B3, B4
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