Owners Manual

• 您可以使用基于 x4 和 x8 DRMS 的 DIMM。有关更多信息，请参阅本说明文件中的“模式特定原则”。
• 每个通道中最多可填充两个四列 RDIMM 和三个双列或单列 RDIMM。在配备有白色释放拉杆的第一个插槽
中填充四列 RDIMM 时，不能填充通道中配备有绿色释放拉杆的第三个 DIMM 插槽。
• 最多填充三个 LRDIMM（不论列数）。
• 先填充具有白色释放卡舌的所有插槽，再填充具有黑色卡舌的插槽，最后填充具有绿色卡舌的插槽。
• 如果在具有白色释放卡舌的第一个插槽中填充四列 RDIMM，则请勿填充具有绿色释放卡舌的通道中的第
三个 DIMM 插槽。
• 按以下顺序按最高列数填充插槽 — 首先填充具有白色释放拉杆的插槽，再填充具有黑色释放拉杆的插槽，
最后填充具有绿色释放拉杆的插槽。例如，如果要混用四列和双列 DIMM，则填充具有白色释放卡舌的插
槽中的四列 DIMM，再填充具有黑色释放卡舌的插槽中的双列 DIMM。
• 每个处理器的内存配置必须相同。例如，如果填充处理器 1 的插槽 A1，则填充处理器 2 的插槽 B1，以此
类推。
• 您可以使用不同大小的内存模块，前提是遵循其它内存填充规则（例如，您可以使用 2 GB 和 4 GB 内存模
块）。
• 每个处理器一次填充四个 DIMM（每个通道一个 DIMM）以最大化性能。
• 如果安装速度不同的内存模块，这些内存模块将以系统中速度最慢的内存模块的速度或更低的速度运行
（具体取决于系统 DIMM 配置）。
模式特定原则
每个处理器均分配有四个内存通道。所选的内存模式将决定允许的配置。
注: 如果支持 RAS 功能，则可使用基于 x4 和 x8 DRAM 的 DIMM。但是，必须遵循特定 RAS 功能的所有
原则。基于 x4 DRAM 的 DIMM 在内存优化（独立通道）模式下保留单设备数据校正 (SDDC)。基于 X8
DRAM
的 DIMM 需要高级 ECC 模式以获得 SDDC。
以配对形式安装相同的 DIMM - 例如，A1 与 A2、A3 与 A4、A5 与 A6，以此类推。
内存配置示例
下表显示了遵循相应内存原则的示例内存配置。
表. 26: 内存配置示例
系统容量 (GB) DIMM 大小 DIMM 数量 DIMM 插槽数
128
32 4
A1、A2
B1、B2
256
32 8
A1、A2、A3、A4
B1、B2、B3、B4
384
32 12
A1、A2、A3、A4、A5、A6
B1、B2、B3、B4、B5、B6
512
32 16
A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8
B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8
768
32 24
A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8、
A9、A10、A11、A12
41