Datasheet

1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13, EM513, EM516, EM518
1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13,
EM513, EM516, EM518
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-01-21
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...2000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~DO-41
~DO-204AC
Weight approx.
Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
1N4001 50 50
1N4002 100 100
1N4003 200 200
1N4004 400 400
1N4005 600 600
1N4006 800 800
1N4007 1000 1000
1N4007-13 1300 1300
EM513 1600 1600
EM516 1800 1800
EM518 2000 2000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
A
= 75°C
T
A
= 100°C
I
FAV
1 A
1
)
0.8 A
1
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz I
FRM
5.4 A
1
)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C I
FSM
27/30 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms T
A
= 25°C i
2
t 3.6 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+175°C
-50...+175°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø 0.77
±0.07
Ø 2.6
0.1±
62.5
+0.5
5.1
-0.1
-4.5