Datasheet

1N5400K ... 1N5408K
1N5400K ... 1N5408K
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2005-09-20
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
3 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ DO-15
DO-204AC
Weight approx.
Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
1N5400K 50 50
1N5401K 100 100
1N5402K 200 200
1N5404K 400 400
1N5406K 600 600
1N5407K 800 800
1N5408K 1000 1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
A
= 50°C I
FAV
3 A
1
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz I
FRM
20 A
1
)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C I
FSM
100/110 A
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms T
A
= 25°C i
2
t 50 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø
±0.05
0.8
Ø
±0.05
3
62.5
±0.5
6.3
±0.1