Datasheet

BAT54WS
BAT54WS
SMD Small Signal Schottky Diodes
SMD Kleinsignal-Schottky-Dioden
I
FAV
= 200 mA
V
F1
< 0.24 V
T
jmax
= 150°C
V
RRM
= 30 V
I
FSM
= 600 mA
t
rr
< 6 ns
Version 2018-10-10
SOD-323F
Dimensions - Maße [mm]
Type code = S1
Typical Applications
Signal processing, High-speed
switching, Polarity protection
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Verpolschutz
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation
1
)
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschicht-Kapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.005 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
These diodes are available in alternative case outlines
Diese Dioden sind in alternativen Gehäuseformen lieferbar
SOT-23 = BAT54
SOT-323 = BAT54W
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
BAT54WS/-Q
Power dissipation − Verlustleistung P
tot
230 mW
3
)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom DC I
FAV
200 mA
3
)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom I
FRM
300 mA
3
)
Non repetitive peak forward surge current – Stoßstrom-Grenzwert t
p
≤ 10 ms I
FSM
600 mA
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung V
RRM
30 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics Kennwerte
BAT54WS/-Q
Forward voltage
Durchlass-Spannung
T
j
= 25°C
I
F
= 0.1 mA
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 30 mA
I
F
= 100 mA
V
F
< 240 mV
< 320 mV
< 400 mV
< 500 mV
< 800 mV
Leakage current – Sperrstrom
4
) T
j
= 25°C V
R
= 25 V I
R
< 2 µA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität V
R
= 0 V, f = 1 MHz C
T
10 pF
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
4 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
1.25
±0.1
0.3
±0.1
1
±0.1
2.5
±0.2
Type
Code
1.7
±0.1