Datasheet

BAS16, BAW56, BAV70, BAV99, BAV199
BAS16, BAW56, BAV70, BAV99, BAV199
SMD Small Signal Diodes
SMD Kleinsignal-Dioden
I
FAV
= 215 mA
V
F1
< 715 mV
T
jmax
= 150°C
V
RRM
= 85, 100 V
I
FSM
= 2 A
t
rr1
< 4 ns
Version 2019-02-14
SOT-23
(TO-236)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing, (High-speed)
Switching, Rectifying
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, (Schnelles)
Schalten, Gleichrichten
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation
1
)
Features
BAV199: Extremely low leakage
BAS16, BAW56, BAV99, BAV70:
Very high switching speed
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
BAV199: Extrem niedriger Sperrstrom
BAS16, BAW56, BAV99, BAV70:
Sehr schnelles Schalten
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Single
Diode
BAS16/-AQ
1 = A 2 = n. c. 3 = C
Type
Code
5D
Common
Cathode
BAV70/-Q/-AQ
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
Type
Code
A4
Common
Anode
BAW56/-Q
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
Type
Code
A1
Series
Connection
BAV99/-Q/-AQ | BAV199/-Q
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
Type
Code
A7 | PX
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Power dissipation (per device) − Verlustleistung (pro Bauteil) P
tot
350 mW
3
)
Maximum average forward current
Dauergrenzstrom
single diode loaded – eine Diode belastet
both diodes loaded – beide Dioden belastet
I
FAV
215 mA
3
)
125 mA
3
)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom I
FRM
300 mA
3
)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 ms
t
p
≤ 1 µs
I
FSM
0.5 A
1 A
2 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
BAS16/-AQ, BAW56/-Q, BAV99/-Q/-AQ, BAV199/-Q
BAV70/-Q
V
RRM
85 V
100 V
Reverse voltage – Sperrspannung DC V
R
75 V
Junction/Storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur T
j/S
-55...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C and per diode, unless otherwise specified – T
A
= 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on 3 mm
2
copper pads per terminal – Montage auf 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
2.4
1.3
±0.1
1.1
+0.1
0.4
+0.1
2.9
±0.1
1 2
3
Type
Code
1.9
±0.1
-0.05
-0.2
±0.2
21
3
2
3
1
21
3
21
3