Datasheet
BAV19 ... BAV21
BAV19 ... BAV21
Superfast Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden mit superschnellem Sperrverzug
I
FAV
= 250 mA
V
F
< 1 V
T
jmax
= 200°C
V
RRM
= 120 V...250 V
I
FSM
= 5 A
t
rr
< 50 ns
Version 2015-11-20
~DO-35 / ~(SOD-27)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
High-speed switching
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schnelles Schalten
Standardausführung
1
)
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped in ammo pack 5000 Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx. 1.7 g Gewicht ca.
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
BAV19 100 120
BAV20 150 200
BAV21 200 250
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
T
A
= 25°C P
tot
500 mW
3
)
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
A
= 25°C I
FAV
250 mA
3
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz I
FRM
650 mA
3
)
Peak forward surge current, t ≤ 1 µs
Stoßstrom, t ≤ 1 µs
T
A
= 25°C I
FSM
5 A
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+200°C
-50...+200°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
j
= 25°C unless otherwise specified – T
j
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Ø 1.9
±0.1
Ø max 0.5
62.5
±3
3.9
±0.4
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S