Datasheet

BAV70
BAV70
Surface Mount Small Signal Double-Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2005-9-28
Dimensions - Maße [mm]
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
Power dissipation – Verlustleistung 310 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
70 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25°C) Grenzwerte (T
A
= 25°C)
per diode / pro Diode BAV70
Power dissipation − Verlustleistung
1
)P
tot
310 mW
2
)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
I
FAV
200 mA
2
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
I
FRM
300 mA
2
)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 ms
t
p
≤ 1 µs
I
FSM
I
FSM
I
FSM
0.5 A
1 A
2 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
70 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (T
j
= 25°C) Kennwerte (T
j
= 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 150 mA
V
F
V
F
V
F
V
F
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
Leakage current
3
)
Sperrstrom
T
j
= 25°C V
R
= 25 V I
R
< 5 µA
T
j
= 150°C V
R
= 25 V
V
R
= 70 V
I
R
I
R
< 60 µA
< 100 µA
1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
2 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/
1
2.5 max
1.3
±0.1
1.1
0.4
2.9
±0.1
1
2
3
Type
Code
1.9