Datasheet
BC807 ... BC808
BC807 ... BC808
SMD General Purpose PNP Transistors
SMD Universal-PNP-Transistoren
I
C
= -800 mA
h
FE
~ 160/250/400
T
jmax
= 150°C
V
CES
= -30 ...-50 V
P
tot
= 310 mW
Version 2017-01-19
SOT-23
(TO-236)
1 = B 2 = E 3 = C
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung
1
)
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Type
Code
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
BC807-16 = 5A or 5CR
BC807-25 = 5B or 5CS
BC807-40 = 5C or 5CT
BC808-16 = 5E or 5CR
BC808-25 = 5F or 5CS
BC808-40 = 5G or 5CT
BC817, BC818
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
BC807 BC808
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short - V
CES
50 V 30 V
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open - V
CEO
45 V 25 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - V
EBO
5 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
310 mW
3
)
Collector current – Kollektorstrom (dc) - I
C
800 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I
CM
1 A
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom - I
BM
200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C, unless otherwise specified – T
A
= 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
2.4
1.3
±0.1
1.1
+0.1
0.4
+0.1
2.9
±0.1
1
2
3
Type
Code
1.9
±0.1
-0.05
-0.2
±0.2