Datasheet

BC846W ... BC849W
BC846W ... BC849W
SMD General Purpose NPN Transistors
SMD Universal-NPN-Transistoren
I
C
= 100 mA
h
FE
~ 180/290/520
T
jmax
= 150°C
V
CEO
= 30...65 V
P
tot
= 200 mW
Version 2019-01-11
SOT-323
1 = B 2 = E 3 = C
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation
1
)
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Type
Code
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
BC846AW 1A
BC847AW/-Q 1E
BC848AW 1J
BC846BW/-AQ 1B
BC847BW/-Q 1F
BC848BW 1K
BC849BW 2B
BC847CW/-Q 1G
BC848CW 1L
BC849CW 2C
BC856W ... BC859W
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
BC846W/
-AQ
BC847W/
-Q
BC848W
BC849W
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open V
CEO
65 V 45 V 30 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open V
CBO
80 V 50 V 30 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open V
EBO
6 V 5 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
200 mW
3
)
Collector current – Kollektorstrom DC I
C
100 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I
CM
200 mA
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom I
BM
200 mA
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom - I
EM
200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
1.3
0.3
1.25
±0.1
1
±0.1
2
±0.1
2.1
±0.1 Type
Code
3
21