Datasheet

BCW66F
BCW66F
SMD General Purpose NPN Transistors
SMD Universal-NPN-Transistoren
I
C
= 600 mA
h
FE
~ 160
T
jmax
= 150°C
V
CEO
= 45 V
P
tot
= 250 mW
Version 2017-03-15
SOT-23
(TO-236)
1 = B 2 = E 3 = C
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung
1
)
Features
General Purpose
Low saturation voltage
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Niedrige Sättigungsspannung
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
) Mechanische Daten
1
)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Type
Code
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
1P N/A
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open V
CEO
45 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open V
CBO
75 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung C open V
EB0
5 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
300 mW
3
)
Collector current – Kollektorstrom DC I
C
600 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
A
= 25°C, unless otherwise specified – T
A
= 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
2.5 max
1.3
±0.1
1.1
0.4
2.9
±0.1
1
2
3
Type
Code
1.9

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