Datasheet
FE3A ... FE3G
FE3A ... FE3G
Superfast Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden mit superschnellem Sperrverzug
I
FAV
= 3 A
V
F
< 0.98...1.3 V
T
jmax
= 175°C
V
RRM
= 50...400 V
I
FSM
= 125/135 A
t
rr
< 50 ns
Version 2015-12-21
~DO-201
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High speed switching
Commercial grade
1
)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Schnelles Schalten
Standardausführung
1
)
Features
High forward surge current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Besonderheiten
Hohe Stoßstromfestigkeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanical Data
1
)
Mechanische Daten
1
)
Taped in ammo pack 1700 Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx. 1.0 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings
2
) Grenzwerte
2
)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
FE3A 50 50
FE3B 100 100
FE3D 200 200
FE3G 400 400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
A
= 75°C I
FAV
3 A
3
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz I
FRM
30 A
3
)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25°C I
FSM
125/135 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
T
A
= 25°C i
2
t 78 A
2
s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T
j
= 25°C unless otherwise specified – T
j
= 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø 1.2
±0.05
Ø 4.5
62.5
±0.5
7.5
±0.1
+0.1
-
0.3
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S